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IPW60R125C6 - MOSFET N-Ch 600V 30A 219W 0

IPW60R125C6 – MOSFET N-Ch 600V 30A 219W 0,125R TO247

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Artikelnummer: 63593580d831 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IPW60R125C6 – Die Hochleistungslösung für anspruchsvolle Schaltanwendungen
  • Überragende Leistung durch fortschrittliche Siliziumtechnologie
  • Maximale Effizienz und geringe Verluste
  • Schlüsselvorteile des IPW60R125C6
  • Anwendungsbereiche: Wo der IPW60R125C6 brilliert
  • Technische Spezifikationen im Detail
  • Hervorragendes thermisches Management
  • Fortschrittliche Gate-Steuerung für optimierte Schaltcharakteristik
  • Robustheit und Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IPW60R125C6 – MOSFET N-Ch 600V 30A 219W 0,125R TO247
    • Was ist die Hauptanwendung für den IPW60R125C6?
    • Warum ist der Rds(on) von 0,125 Ohm wichtig?
    • Welche Vorteile bietet die TO-247-Bauform?
    • Kann der IPW60R125C6 in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
    • Welche Spannungs- und Strombelastbarkeit bietet der MOSFET?
    • Was bedeutet die Leistungsdissipation von 219W?
    • Ist der IPW60R125C6 für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet?

IPW60R125C6 – Die Hochleistungslösung für anspruchsvolle Schaltanwendungen

Wenn Sie nach einer zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET-Lösung für Ihre anspruchsvollen Schaltungen suchen, ist der IPW60R125C6 die ideale Wahl. Entwickelt für maximale Effizienz und Robustheit, eignet sich dieser N-Kanal-MOSFET hervorragend für Anwender, die höchste Ansprüche an Schaltfrequenz, Energieeffizienz und thermisches Management stellen, sei es in der Industrieautomatisierung, in unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) oder in anspruchsvollen Netzteilen.

Überragende Leistung durch fortschrittliche Siliziumtechnologie

Der IPW60R125C6 repräsentiert den neuesten Stand der Technik im Bereich der Power-MOSFETs. Seine überlegene Performance im Vergleich zu Standardlösungen ergibt sich aus der optimierten Zellstruktur und der fortschrittlichen Fertigungstechnologie. Dies ermöglicht nicht nur höhere Stromtragfähigkeiten bei gleichzeitig geringeren Verlusten, sondern auch eine verbesserte Schaltgeschwindigkeit, was gerade in hochfrequenten Anwendungen einen entscheidenden Vorteil darstellt.

Maximale Effizienz und geringe Verluste

Im Zentrum der Leistungsfähigkeit des IPW60R125C6 steht seine Fähigkeit, Energieverluste auf ein Minimum zu reduzieren. Dies wird durch eine extrem niedrige Durchlasswiderstand (Rds(on)) von nur 0,125 Ohm erreicht. In Kombination mit der hohen Spannungsfestigkeit von 600V und einem Dauerstrom von 30A ermöglicht dies eine effiziente Energieumwandlung, selbst unter hoher Last. Die Reduzierung von Verlusten führt direkt zu einer verbesserten Energieeffizienz des Gesamtsystems, geringerer Wärmeentwicklung und somit zu einer erhöhten Lebensdauer der Komponenten und des Geräts.

Schlüsselvorteile des IPW60R125C6

  • Extrem niedriger Rds(on): Mit nur 0,125 Ohm minimiert dieser MOSFET die Leitungsverluste und maximiert die Energieeffizienz.
  • Hohe Spannungsfestigkeit: 600V ermöglichen den Einsatz in einer Vielzahl von Hochspannungsanwendungen.
  • Hoher Dauerstrom: 30A Dauerstrombelastbarkeit stellen sicher, dass auch anspruchsvolle Lasten zuverlässig geschaltet werden können.
  • Geringe Ladekapazitäten (Qg): Dies führt zu schnellen Schaltübergängen und reduziert die Verluste bei häufigem Schalten.
  • Robuste TO247-Bauform: Bietet exzellentes thermisches Management und hohe mechanische Stabilität für zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Bedingungen.
  • Optimiert für harte Schaltbedingungen: Entwickelt für maximale Zuverlässigkeit bei hohen Schaltfrequenzen und Temperaturen.
  • Reduzierte EMI: Die optimierte Gate-Ladung und Schaltcharakteristik tragen zur Minimierung von elektromagnetischen Störungen bei.

Anwendungsbereiche: Wo der IPW60R125C6 brilliert

Der IPW60R125C6 ist aufgrund seiner herausragenden Eigenschaften prädestiniert für eine breite Palette anspruchsvoller Applikationen:

  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USVs): Zuverlässiges Schalten und hohe Effizienz sind entscheidend für die unterbrechungsfreie Versorgung kritischer Systeme.
  • Industrielle Stromversorgungen: Robuste Performance und thermische Stabilität für den Dauereinsatz in industriellen Umgebungen.
  • Solar-Wechselrichter: Maximale Energieausbeute und Langlebigkeit durch effiziente Wandlungsprozesse.
  • Server-Netzteile: Hohe Effizienz zur Reduzierung des Energieverbrauchs und der Wärmeentwicklung in Rechenzentren.
  • Motorsteuerungen: Präzises und schnelles Schalten für effiziente Steuerung von Elektromotoren.
  • Klimaanlagen und Wärmepumpen: Energieeffiziente Leistungsregelung für optimale Heiz- und Kühlzyklen.
  • Power-Faktorkorrektur (PFC) Schaltungen: Optimale Leistung bei der Verbesserung des Leistungsfaktors.

Technische Spezifikationen im Detail

Spezifikation Wert
Typ MOSFET, N-Kanal
Hersteller-Teilenummer IPW60R125C6
Spannung – Drain-Source (Vds) 600 V
Strom – Kontinuierlich Drain (Id) bei 25°C 30 A
Rds(on) (Max) bei Id, Vgs 0,125 Ohm bei 15 A, 10 V
Gate-Charge (Qg) (Max) bei Vgs Deutlich reduziert für schnelles Schalten
Kapazität (Ciss, Coss, Crss) Optimiert für geringe Schaltverluste
Leistungsdissipation (Max) 219 W
Betriebstemperatur -55°C bis +150°C
Montagetyp Through Hole
Gehäuse / Typ TO-247-3
Supplier Device Package TO-247
Hersteller Infineon Technologies (oder vergleichbar hochwertige Marke)
Bauform Leistungsbaustein für effizientes Wärmemanagement
Einsatzgebiet Hochfrequenz-Schaltnetzteile, USVs, PFC-Schaltungen, Motorsteuerungen

Hervorragendes thermisches Management

Die TO-247-Bauform des IPW60R125C6 ist ein entscheidender Faktor für seine Leistungsfähigkeit unter Last. Dieses Gehäuse bietet eine große Oberfläche für die Wärmeableitung und ermöglicht eine effiziente Kopplung an Kühlkörper. Mit einer maximalen Leistungsdissipation von 219W kann dieser MOSFET selbst bei hohen Strömen und Temperaturen eine zuverlässige Funktion gewährleisten. Dies ist unerlässlich, um thermische Überlastung zu vermeiden und die Lebensdauer des Bauteils sowie des gesamten Systems zu maximieren. Eine sorgfältige Auslegung des Kühlsystems ist dennoch empfehlenswert, um die vollen Leistungspotenziale auszuschöpfen.

Fortschrittliche Gate-Steuerung für optimierte Schaltcharakteristik

Die Gate-Ladung (Qg) des IPW60R125C6 ist speziell optimiert, um schnelle und verlustarme Schaltübergänge zu ermöglichen. Dies ist von zentraler Bedeutung in Anwendungen, die hohe Schaltfrequenzen erfordern, wie beispielsweise in modernen Schaltnetzteilen und Konvertern. Eine geringere Gate-Ladung bedeutet, dass weniger Energie benötigt wird, um den MOSFET ein- und auszuschalten, was zu einer Reduzierung der Schaltverluste führt. Dies trägt direkt zur Steigerung der Gesamteffizienz und zur Verringerung der Wärmeentwicklung bei.

Robustheit und Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen

Der IPW60R125C6 wurde entwickelt, um den anspruchsvollen Bedingungen industrieller Umgebungen standzuhalten. Die Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und einem breiten Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C macht ihn zu einer äusserst zuverlässigen Komponente für kritische Anwendungen. Die durchdachte Bauform und die hochwertige Siliziumtechnologie garantieren eine lange Lebensdauer und minimieren das Risiko von Ausfällen, was gerade in der Industrieautomatisierung und bei der Stromversorgung kritischer Infrastrukturen von grösster Bedeutung ist.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IPW60R125C6 – MOSFET N-Ch 600V 30A 219W 0,125R TO247

Was ist die Hauptanwendung für den IPW60R125C6?

Der IPW60R125C6 eignet sich hervorragend für Hochleistungs-Schaltanwendungen, darunter unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USVs), industrielle Netzteile, Solar-Wechselrichter und Motorsteuerungen, bei denen hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und thermisches Management gefordert sind.

Warum ist der Rds(on) von 0,125 Ohm wichtig?

Ein niedriger Rds(on) ist entscheidend für die Reduzierung von Leitungsverlusten im MOSFET. Dies führt zu einer höheren Energieeffizienz, geringerer Wärmeentwicklung und somit zu einer längeren Lebensdauer der Komponente und des Gesamtsystems.

Welche Vorteile bietet die TO-247-Bauform?

Die TO-247-Bauform bietet eine grosse Oberfläche zur Wärmeableitung und ermöglicht eine effiziente Kopplung an Kühlkörper, was für die Aufrechterhaltung niedriger Betriebstemperaturen unter Last unerlässlich ist und die Lebensdauer des Bauteils erhöht.

Kann der IPW60R125C6 in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?

Ja, der IPW60R125C6 ist durch seine optimierte Gate-Ladung und schnelle Schaltcharakteristik besonders gut für Hochfrequenzanwendungen geeignet, bei denen schnelle und verlustarme Schaltübergänge erforderlich sind.

Welche Spannungs- und Strombelastbarkeit bietet der MOSFET?

Der IPW60R125C6 hat eine Spannungsfestigkeit von 600V und eine Dauerstrombelastbarkeit von 30A, was ihn für eine breite Palette von Hochleistungsanwendungen qualifiziert.

Was bedeutet die Leistungsdissipation von 219W?

Die Leistungsdissipation von 219W gibt die maximale Leistung an, die der MOSFET unter bestimmten Bedingungen ohne Überhitzung ableiten kann. Dies unterstreicht seine Fähigkeit, auch unter hoher Last zuverlässig zu arbeiten, wobei eine geeignete Kühlung vorausgesetzt wird.

Ist der IPW60R125C6 für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet?

Dank seiner robusten Bauweise und des breiten Betriebstemperaturbereichs von -55°C bis +150°C ist der IPW60R125C6 für den Einsatz in anspruchsvollen industriellen Umgebungen konzipiert.

Bewertungen: 4.9 / 5. 711

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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