IPP65R190C7 – Der Leistungshalbleiter für Ihre anspruchsvollsten Projekte
Sie benötigen einen zuverlässigen und leistungsfähigen MOSFET für Hochspannungsanwendungen, der gleichzeitig Energieeffizienz und Robustheit gewährleistet? Der IPP65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO220 wurde speziell entwickelt, um die Herausforderungen moderner Leistungselektronik zu meistern. Er ist die ideale Lösung für Ingenieure, Entwickler und Hobbyisten, die auf höchste Qualität und Zuverlässigkeit setzen, um Energieverluste zu minimieren und die Lebensdauer ihrer Schaltungen zu maximieren.
Überlegene Leistung und Effizienz: Warum IPP65R190C7 die erste Wahl ist
Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs bietet der IPP65R190C7 eine herausragende Kombination aus niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) und hoher Spannungsfestigkeit. Dies resultiert in signifikant reduzierten Leitungsverlusten, was besonders bei hohen Strömen und Schaltfrequenzen zu einer gesteigerten Energieeffizienz und geringeren Wärmeentwicklung führt. Die integrierte CoolSiC™-Technologie ermöglicht niedrigere Schaltverluste und eine verbesserte Performance, was den IPP65R190C7 zu einer zukunftssicheren Wahl für energiebewusste Designs macht.
Hauptvorteile des IPP65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO220
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Sperrspannung von 650V ist dieser MOSFET ideal für Anwendungen, die eine zuverlässige Isolation bei hohen Potenzialdifferenzen erfordern, wie z.B. in der Leistungselektronik für industrielle Stromversorgungen und Solarinverter.
- Niedriger RDS(on): Ein Durchlasswiderstand von nur 0,19 Ohm minimiert Leitungsverluste, was zu einer höheren Gesamteffizienz des Systems und einer reduzierten Wärmeentwicklung führt. Dies ermöglicht kompaktere Kühlkörperdesigns und eine höhere Leistungsdichte.
- Exzellente Schaltcharakteristik: Die optimierte Gate-Ladung und schnelle Schaltzeiten tragen zu geringen Schaltverlusten bei. Dies ist entscheidend für effiziente Schaltungen mit hohen Frequenzen, wie sie in Schaltnetzteilen und Motorsteuerungen vorkommen.
- Robustheit und Zuverlässigkeit: Gefertigt nach höchsten Industriestandards, bietet der IPP65R190C7 eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit, selbst unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen. Die TO220-Gehäusebauform ist für ihre thermische Stabilität und mechanische Robustheit bekannt.
- Breites Anwendungsspektrum: Von AC/DC-Wandlern und DC/DC-Konvertern bis hin zu Motorsteuerungen und Energieverteilungssystemen – dieser MOSFET eignet sich für eine Vielzahl von anspruchsvollen elektronischen Schaltungen.
- Verbesserte thermische Leistung: Die effektive Wärmeableitung durch das TO220-Gehäuse unterstützt eine hohe Leistungsabgabe und verlängert die Lebensdauer der Komponente, indem Überhitzung vorgebeugt wird.
Technische Spezifikationen im Detail
Der IPP65R190C7 ist ein N-Kanal-MOSFET, der auf der innovativen CoolSiC™-Technologie basiert. Diese Kombination aus Siliziumkarbid (SiC) und Silizium-MOSFET-Struktur ermöglicht eine herausragende Leistung bei gleichzeitig kosteneffizienter Produktion. Die niedrige Gate-Schwellspannung (VGS(th)) erleichtert die Ansteuerung mit gängigen Gate-Treibern und reduziert den Energieaufwand für die Schalteraktivierung. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von bis zu 13A und einer Pulsstromfähigkeit, die deutlich höher liegt, ist er für leistungsintensive Anwendungen bestens gerüstet. Die maximale Verlustleistung von 72W, angegeben bei einer Gehäusetemperatur von 25°C, unterstreicht seine Fähigkeit, erhebliche Energiemengen zu verarbeiten.
Produkteigenschaften im Überblick
| Eigenschaft | Spezifikation / Beschreibung |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Spannungsfestigkeit (VDSS) | 650 V |
| Durchlasswiderstand (RDS(on)) | 0,19 Ω |
| Nennleistung (PD) | 72 W (bei 25°C) |
| Dauer-Drainstrom (ID) | 13 A |
| Gehäusebauform | TO-220 |
| Technologie | CoolSiC™ Hybrid |
| Gate-Schwellspannung (VGS(th)) | Typisch 3,5 V |
| Optimale Anwendungsbereiche | AC/DC-Wandler, DC/DC-Konverter, PFC-Schaltungen, Motorsteuerungen, Schaltnetzteile |
Umfassende Anwendungsbereiche für höchste Anforderungen
Der IPP65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO220 ist ein Paradebeispiel für die moderne Leistungshalbleitertechnologie und findet Anwendung in einer breiten Palette von kritischen Systemen. Seine Fähigkeit, hohe Spannungen effizient zu schalten, macht ihn unverzichtbar für die Entwicklung von:
- Leistungskonverter: In AC/DC- und DC/DC-Wandlern ermöglicht er eine höhere Effizienz und geringere Wärmeentwicklung, was zu kompakteren und zuverlässigeren Netzteilen für Server, Telekommunikationsgeräte und industrielle Steuerungen führt.
- Power Factor Correction (PFC)-Schaltungen: Die schnellen Schaltzeiten und niedrigen Verluste des IPP65R190C7 tragen zur Verbesserung des Leistungsfaktors bei, was für energieeffiziente und normkonforme Stromversorgungen unerlässlich ist.
- Solar- und erneuerbare Energietechnologien: In Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen spielt die hohe Effizienz eine Schlüsselrolle bei der Maximierung der Energieausbeute. Der IPP65R190C7 unterstützt die Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom mit minimalen Verlusten.
- Industrielle Motorsteuerungen: Die präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren ist entscheidend für die Produktivität in der Automatisierungstechnik. Dieser MOSFET ermöglicht eine feinfühlige Regelung bei gleichzeitiger Energieeinsparung.
- Batterie-Management-Systeme (BMS): In komplexen Energiespeichersystemen trägt der IPP65R190C7 zur Optimierung des Ladens und Entladens von Batterien bei, indem er Energieverluste minimiert und die Systemintegrität gewährleistet.
- Industrielle Beleuchtung: Bei der Entwicklung von energieeffizienten LED-Treibern bietet der MOSFET die nötige Leistung und Zuverlässigkeit für eine lange Lebensdauer.
Das TO-220 Gehäuse: Ein Garant für Zuverlässigkeit und Wärmeableitung
Die Wahl des TO-220-Gehäuses für den IPP65R190C7 ist kein Zufall. Diese etablierte Bauform ist seit Jahrzehnten ein Standard in der Leistungselektronik und zeichnet sich durch ihre Robustheit, einfache Handhabung und gute thermische Eigenschaften aus. Das Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung über eine externe Kühlfläche, was für die Aufrechterhaltung optimaler Betriebstemperaturen und die Verhinderung thermischer Überlastung entscheidend ist. Die integrierte Montagebohrung erleichtert die Befestigung auf Kühlkörpern, was eine wesentliche Voraussetzung für die effiziente Arbeit bei hohen Lasten darstellt.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IPP65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO220
Ist der IPP65R190C7 für den Einsatz in 230V-Netzen geeignet?
Ja, mit seiner Spannungsfestigkeit von 650V ist der IPP65R190C7 bestens geeignet, um in Schaltungen zu arbeiten, die an gängige Netzspannungen wie 230V angeschlossen werden, insbesondere in den Hochspannungszweigen von Netzteilen und Wandlern.
Welche Art von Gate-Treiber wird für den IPP65R190C7 empfohlen?
Für den IPP65R190C7 werden standardmäßige Gate-Treiber mit einer Ausgangsspannung im Bereich von 10V bis 15V empfohlen, um eine vollständige Ansteuerung zu gewährleisten und die besten Schaltleistungen zu erzielen. Die relativ geringe Gate-Ladung vereinfacht die Ansteuerung.
Kann der IPP65R190C7 dauerhaft mit 13A betrieben werden?
Die Angabe von 13A bezieht sich auf den Dauer-Drainstrom bei optimalen Kühlbedingungen. Für einen dauerhaften Betrieb mit 13A ist eine ausreichende Kühlung, typischerweise durch einen geeigneten Kühlkörper, unerlässlich, um die Verlustleistung von 72W (bei 25°C) zu bewältigen und die Gehäusetemperatur im zulässigen Bereich zu halten.
Was bedeutet die „CoolSiC™ Hybrid“ Technologie?
Die CoolSiC™ Hybrid-Technologie kombiniert die Vorteile von Siliziumkarbid (SiC) für verbesserte Schaltleistung und geringere Verluste mit der bewährten und kostengünstigen Silizium-MOSFET-Technologie für die Leistungsstufe. Dies resultiert in einer optimierten Balance aus Performance, Zuverlässigkeit und Kosten.
Welche Vorteile bietet der niedrige RDS(on) von 0,19 Ohm?
Ein niedriger RDS(on) bedeutet, dass der MOSFET bei gleichem Stromfluss weniger Energie in Form von Wärme verbraucht. Dies führt zu einer höheren Gesamteffizienz des Systems, reduziert die Notwendigkeit für aufwendige Kühlmaßnahmen und ermöglicht kompaktere Designs.
Ist dieser MOSFET für Schaltfrequenzen über 100 kHz geeignet?
Ja, die exzellenten Schaltcharakteristiken und die geringen Schaltverluste des IPP65R190C7 machen ihn sehr gut geeignet für Anwendungen mit Schaltfrequenzen über 100 kHz, wie sie in modernen Schaltnetzteilen und Energieumwandlungssystemen üblich sind.
Was sind die wichtigsten Unterschiede zu einem reinen Silizium-MOSFET mit ähnlichen Spezifikationen?
Im Vergleich zu reinen Silizium-MOSFETs bietet der IPP65R190C7 dank der SiC-Anteile deutlich geringere Schaltverluste, eine höhere Spannungsfestigkeit bei kompakterer Bauweise und eine bessere thermische Performance. Dies ermöglicht höhere Effizienz und Leistungsdichte.
