IPP60R380C6 – Hochleistungs-MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen
Der IPP60R380C6 ist ein N-Kanal-MOSFET, der speziell für Anwender entwickelt wurde, die höchste Effizienz und Zuverlässigkeit in ihren Leistungselektronikanwendungen benötigen. Wenn Sie auf der Suche nach einer Komponente sind, die Spitzenleistungen bei hohen Spannungen und Strömen liefert und dabei Verluste minimiert, dann ist dieser MOSFET die ideale Wahl für Ihr Projekt.
Überlegene Leistung und Effizienz
Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs bietet der IPP60R380C6 signifikante Vorteile, die ihn zu einer überlegenen Wahl für professionelle Ingenieure und Entwickler machen. Seine fortschrittliche Halbleitertechnologie ermöglicht niedrigere Durchlasswiderstände und schnellere Schaltzeiten, was zu einer Reduzierung von Energieverlusten führt und somit die Gesamteffizienz des Systems erhöht. Dies ist entscheidend für Anwendungen, bei denen jeder Prozentpunkt an Effizienz zählt, wie z.B. in energieeffizienten Netzteilen, Wechselrichtern oder industriellen Motorsteuerungen.
Anwendungsgebiete und technische Vorteile
Der IPP60R380C6 brilliert in einer Vielzahl von anspruchsvollen Anwendungen, bei denen hohe Spannungsfestigkeit und kontrollierte Schaltcharakteristiken gefordert sind. Seine robuste Bauweise und optimierte Siliziumstruktur garantieren eine zuverlässige Performance auch unter extremen Betriebsbedingungen.
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Sperrspannung von 600V eignet sich dieser MOSFET hervorragend für Anwendungen, die mit Netzspannung oder höheren Gleichspannungen arbeiten.
- Optimierter Durchlasswiderstand (RDS(on)): Ein niedriger RDS(on) von typischerweise 0,38 Ohm minimiert Leitungsverluste, was die Effizienz des Gesamtsystems steigert und die Wärmeentwicklung reduziert.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeiten: Die optimierte Gate-Ladung und die interne Kapazität ermöglichen schnelle Schaltvorgänge, was für Hochfrequenzanwendungen wie Schaltnetzteile oder PFC-Schaltungen unerlässlich ist.
- Hohe Stromtragfähigkeit: Mit einem Dauerstrom von 10,6A (unter Berücksichtigung der Kühlung) bewältigt dieser MOSFET auch anspruchsvolle Lasten.
- Effiziente Wärmeableitung: Das TO-220-Gehäuse ist ein etablierter Standard für die Montage auf Kühlkörpern und ermöglicht eine effektive Abführung der entstehenden Verlustleistung von 83W.
Qualität und Zuverlässigkeit für professionelle Anwendungen
Die Wahl des richtigen MOSFETs ist entscheidend für die Langlebigkeit und Performance elektronischer Schaltungen. Der IPP60R380C6 von Infeneon (eine führende Autorität in der Halbleitertechnologie) steht für höchste Qualitätsstandards und eine kompromisslose Zuverlässigkeit. Entwickelt mit modernsten Fertigungsverfahren, stellt dieser MOSFET sicher, dass Ihre Designs stabil und effizient arbeiten.
- Markenqualität: Profitieren Sie von der Expertise und dem Ruf von Infeneon im Bereich Leistungshalbleiter.
- Geprüfte Leistung: Jede Komponente wird unter strengen Qualitätskontrollen gefertigt, um die spezifizierten Leistungsparameter zu gewährleisten.
- Robustheit: Die Konstruktion ist auf Langlebigkeit ausgelegt und widersteht den typischen Belastungen im industriellen und professionellen Einsatz.
- Einfache Integration: Das Standard-TO-220-Gehäuse erleichtert die Montage und Integration in bestehende Schaltungsdesigns und ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung durch die Verwendung von Kühlkörpern.
Technische Spezifikationen im Detail
Um Ihnen einen klaren Überblick über die Fähigkeiten des IPP60R380C6 zu geben, finden Sie hier eine detaillierte Übersicht der wichtigsten technischen Merkmale.
| Merkmal | Spezifikation |
|---|---|
| Typ | N-Kanal-Leistungs-MOSFET |
| Hersteller | Infeneon Technologies |
| Artikelnummer | IPP60R380C6 |
| Maximale Drain-Source-Spannung (VDS) | 600 V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei TC=25°C | 10,6 A |
| Maximale Verlustleistung (PD) bei TC=25°C | 83 W |
| Durchlasswiderstand (RDS(on)) bei VGS=10V, ID=10,6A | 0,38 Ω (typisch) |
| Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) | 3,2 V (typisch) |
| Gehäuse | TO-220 |
| Schaltverhalten | Schnelle Schaltzeiten durch optimierte Kapazitäten |
| Betriebstemperaturbereich (TJ) | -55°C bis +150°C |
| Zuverlässigkeit | Hohe Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IPP60R380C6 – MOSFET N-Ch 600V 10,6A 83W 0,38R TO220
Was sind die Hauptvorteile des IPP60R380C6 im Vergleich zu anderen MOSFETs?
Der IPP60R380C6 zeichnet sich durch seine hohe Spannungsfestigkeit von 600V, einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand von 0,38 Ohm und schnelle Schaltzeiten aus. Diese Kombination führt zu einer höheren Effizienz, geringeren Verlusten und einer besseren Leistung in anspruchsvollen Schaltungen.
Für welche Arten von Anwendungen ist der IPP60R380C6 besonders gut geeignet?
Er ist ideal für Schaltnetzteile, Gleichspannungswandler (DC/DC-Converter), Wechselrichter, PFC-Schaltungen (Power Factor Correction), LED-Treiber und allgemeine Leistungselektronikanwendungen, die hohe Spannungen und Ströme verarbeiten müssen.
Wie wird die Verlustleistung von 83W am besten gehandhabt?
Die Verlustleistung von 83W erfordert in der Regel die Montage des MOSFETs auf einem geeigneten Kühlkörper. Das TO-220-Gehäuse ist standardmäßig für die Montage mit Wärmeleitpaste und Schrauben auf Kühlkörpern ausgelegt, um eine effektive Wärmeabfuhr zu gewährleisten.
Ist die Spannungsfestigkeit von 600V für alle Netzspannungen ausreichend?
Ja, eine Spannungsfestigkeit von 600V ist für die meisten Anwendungen, die direkt an das Stromnetz (z.B. 230V AC) angeschlossen werden, mehr als ausreichend. Sie bietet eine gute Reserve für Spitzenspannungen und Transienten.
Welche Gate-Ansteuerung wird für den IPP60R380C6 empfohlen?
Für eine optimale Schaltung und zur Erzielung der spezifizierten Parameter wird eine Gate-Ansteuerung im Bereich von 10V bis 15V empfohlen. Es ist ratsam, die Datenblätter der Gate-Treiber-ICs zu konsultieren, um die genauen Spezifikationen zu ermitteln.
Wie beeinflusst der niedrige RDS(on) die Effizienz?
Ein niedriger RDS(on) bedeutet, dass bei gleichem Strom weniger Energie in Form von Wärme verloren geht. Dies führt zu einer höheren Gesamteffizienz des Systems, geringeren Betriebstemperaturen und potenziell kleineren oder gar keinen Kühlkörpern, was Kosten und Platz spart.
Welche Zuverlässigkeitsmerkmale bietet der IPP60R380C6?
Der MOSFET ist für den professionellen und industriellen Einsatz konzipiert und bietet eine hohe Zuverlässigkeit dank der fortschrittlichen Siliziumtechnologie von Infeneon und der robusten Gehäusekonstruktion. Er ist für einen weiten Betriebstemperaturbereich ausgelegt und widersteht den typischen Belastungen elektronischer Schaltungen.
