IPP60R190E6 – Der Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik
Sie suchen nach einem zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET für Ihre anspruchsvollen Anwendungen in der Leistungselektronik? Der IPP60R190E6 N-Kanal MOSFET ist die Antwort. Mit seiner robusten Konstruktion, exzellenten Leistungsdaten und vielseitigen Einsatzmöglichkeiten setzt er neue Maßstäbe in Sachen Effizienz und Zuverlässigkeit. Tauchen Sie ein in die Welt der innovativen Leistungselektronik und entdecken Sie, was der IPP60R190E6 für Ihre Projekte leisten kann.
Leistungsmerkmale, die begeistern
Der IPP60R190E6 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für höchste Leistung und Stabilität. Seine beeindruckenden Spezifikationen machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen:
- 600V Sperrspannung: Bietet ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Schaltanwendungen und schützt vor Überspannungen.
- 20,2A Dauerstrom: Ermöglicht die Steuerung hoher Ströme mit minimalen Verlusten.
- 151W Verlustleistung: Garantiert eine effiziente Wärmeableitung und verlängert die Lebensdauer des Bauteils.
- 0,19 Ohm RDS(on): Minimiert die Durchlassverluste und steigert den Wirkungsgrad Ihrer Schaltung.
- TO220 Gehäuse: Ermöglicht eine einfache Montage und effektive Kühlung.
Diese herausragenden Eigenschaften machen den IPP60R190E6 zu einem unverzichtbaren Bestandteil in modernen Leistungselektronik-Systemen.
Technische Details im Überblick
Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Übersicht der technischen Spezifikationen:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET | – |
| Sperrspannung (VDS) | 600 | V |
| Dauerstrom (ID) | 20,2 | A |
| Pulsstrom (IDM) | 61 | A |
| Verlustleistung (Ptot) | 151 | W |
| Durchlasswiderstand (RDS(on)) | 0,19 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 24 | nC |
| Gehäuse | TO220 | – |
Diese Daten verdeutlichen die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit des IPP60R190E6.
Anwendungsbereiche, die inspirieren
Der IPP60R190E6 ist ein wahrer Allrounder und findet in zahlreichen Anwendungsbereichen seinen Einsatz. Lassen Sie sich inspirieren:
- Schaltnetzteile: Effiziente Stromversorgung für elektronische Geräte.
- Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Elektromotoren in Industrie und Automatisierung.
- LED-Beleuchtung: Energieeffiziente Beleuchtungssysteme für Wohn- und Gewerbebereiche.
- Wechselrichter: Umwandlung von Gleich- in Wechselspannung für erneuerbare Energien und USV-Systeme.
- Leistungsverstärker: Steigerung der Leistung von Audiosignalen und anderen Anwendungen.
Egal, welches Projekt Sie realisieren möchten, der IPP60R190E6 ist der zuverlässige Partner an Ihrer Seite.
Warum Sie sich für den IPP60R190E6 entscheiden sollten
In einer Welt, in der Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, bietet der IPP60R190E6 unschlagbare Vorteile:
- Höchste Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Leistung Ihrer Schaltungen.
- Absolute Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf eine lange Lebensdauer und stabile Performance.
- Einfache Integration: Profitieren Sie von der einfachen Montage und Kühlung dank des TO220 Gehäuses.
- Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Nutzen Sie den IPP60R190E6 in einer Vielzahl von Anwendungen.
- Kosteneffiziente Lösung: Investieren Sie in ein Bauteil, das sich durch seine Langlebigkeit und Performance auszahlt.
Mit dem IPP60R190E6 treffen Sie die richtige Wahl für Ihre Leistungselektronik-Projekte. Erleben Sie den Unterschied!
FAQ – Häufig gestellte Fragen
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPP60R190E6:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt über die Spannung am Gate.
- Wie kühle ich den IPP60R190E6 richtig?
Aufgrund der hohen Verlustleistung von 151W ist eine ausreichende Kühlung unerlässlich. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der auf das TO220 Gehäuse passt, und achten Sie auf eine gute Wärmeableitung.
- Kann ich den IPP60R190E6 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Achten Sie jedoch auf eine gleichmäßige Stromverteilung, um Überhitzung einzelner Bauteile zu vermeiden. Ggf. sind zusätzliche Maßnahmen zur Stromverteilung erforderlich.
- Was ist der Unterschied zwischen der Sperrspannung (VDS) und der Gate-Source-Spannung (VGS)?
Die Sperrspannung (VDS) ist die maximale Spannung, die zwischen Drain und Source angelegt werden darf, ohne den MOSFET zu beschädigen. Die Gate-Source-Spannung (VGS) ist die Spannung, die am Gate angelegt werden muss, um den MOSFET zu steuern (ein- oder auszuschalten).
- Welche Alternativen gibt es zum IPP60R190E6?
Es gibt verschiedene Alternativen, abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen. Einige Optionen sind MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen von anderen Herstellern oder MOSFETs mit geringerem RDS(on) für höhere Effizienz.
- Wo finde ich das Datenblatt für den IPP60R190E6?
Das Datenblatt für den IPP60R190E6 finden Sie auf der Webseite des Herstellers (Infineon) oder auf verschiedenen Online-Plattformen für elektronische Bauteile.
- Ist der IPP60R190E6 für Audio-Verstärker geeignet?
Ja, der IPP60R190E6 kann in Audio-Verstärkern eingesetzt werden, insbesondere in Class-D-Verstärkern, die von seiner hohen Schaltgeschwindigkeit und Effizienz profitieren.
Wir hoffen, diese Informationen helfen Ihnen bei Ihrer Entscheidung. Der IPP60R190E6 ist ein kraftvolles Werkzeug für Ihre Elektronikprojekte! Investieren Sie in Qualität und profitieren Sie von den Vorteilen dieses außergewöhnlichen MOSFETs.
