IKW50N65H5 – Der IGBT-Transistor, der Ihre Projekte beflügelt
Sie suchen nach einem zuverlässigen und leistungsstarken IGBT-Transistor für Ihre anspruchsvollsten Projekte? Der IKW50N65H5 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Herzstück, das Ihre Innovationen zum Leben erweckt. Mit seiner robusten Konstruktion und herausragenden Leistungsdaten bietet dieser N-Kanal IGBT-Transistor eine ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, von der Leistungselektronik bis hin zu industriellen Motorsteuerungen.
Tauchen Sie ein in die Welt der effizienten Energieumwandlung und entdecken Sie, wie der IKW50N65H5 Ihre Designs auf ein neues Level hebt. Lassen Sie sich von der Leistung und Zuverlässigkeit dieses Transistors inspirieren und realisieren Sie Projekte, die bisher unvorstellbar waren.
Technische Daten, die überzeugen
Der IKW50N65H5 IGBT-Transistor überzeugt durch seine beeindruckenden technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen machen:
- Transistor-Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Kanal-Typ: N-Kanal
- Spannung (VCES): 650 V
- Dauerstrom (IC): 80 A
- Verlustleistung (Ptot): 305 W
- Gehäuse: TO-247-3
Diese Spezifikationen ermöglichen den Einsatz des IKW50N65H5 in einer Vielzahl von Anwendungen, bei denen hohe Leistung und Zuverlässigkeit gefordert sind. Seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu schalten, macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für moderne elektronische Systeme.
Anwendungsbereiche – Vielfalt, die begeistert
Der IKW50N65H5 ist ein echter Allrounder und findet in den unterschiedlichsten Bereichen Anwendung. Seine Vielseitigkeit macht ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil für Entwickler und Ingenieure, die auf der Suche nach einer leistungsstarken und zuverlässigen Lösung sind:
- Schaltnetzteile (SMPS): Effiziente Energieumwandlung für eine stabile Stromversorgung Ihrer Geräte.
- Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Elektromotoren für industrielle Anwendungen und Elektrofahrzeuge.
- Induktionserwärmung: Schnelle und effiziente Erwärmung von Materialien in industriellen Prozessen.
- USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Zuverlässige Stromversorgung bei Netzausfällen für kritische Anwendungen.
- Schweißgeräte: Präzise Steuerung des Schweißstroms für hochwertige Schweißverbindungen.
Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, der IKW50N65H5 bietet Ihnen die Leistung und Flexibilität, die Sie für Ihre Projekte benötigen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser IGBT-Transistor bietet.
Vorteile, die überzeugen
Der IKW50N65H5 bietet eine Vielzahl von Vorteilen gegenüber anderen IGBT-Transistoren auf dem Markt:
- Hohe Spannungsfestigkeit: 650 V VCES ermöglichen den Einsatz in anspruchsvollen Hochspannungsanwendungen.
- Hoher Stromtragfähigkeit: 80 A IC ermöglichen die Steuerung großer Lasten.
- Geringe Schaltverluste: Effiziente Energieumwandlung und geringe Wärmeentwicklung.
- Robustes Gehäuse: TO-247-3 Gehäuse für eine zuverlässige Wärmeableitung und einfache Montage.
- Lange Lebensdauer: Zuverlässiger Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
Diese Vorteile machen den IKW50N65H5 zu einer lohnenden Investition für alle, die Wert auf Qualität, Leistung und Zuverlässigkeit legen. Vertrauen Sie auf die bewährte Technologie und profitieren Sie von den herausragenden Eigenschaften dieses IGBT-Transistors.
Warum der IKW50N65H5 Ihre Projekte nach vorne bringt
Der IKW50N65H5 ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil; er ist ein Schlüssel zu Innovation und Effizienz. Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues, bahnbrechendes Elektromotor-Steuerungssystem. Mit dem IKW50N65H5 haben Sie die Möglichkeit, die Leistung und Effizienz Ihres Systems zu maximieren und gleichzeitig die Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Oder denken Sie an die Entwicklung eines hochmodernen Schweißgeräts, das dank der präzisen Steuerung des IKW50N65H5 perfekte Schweißnähte liefert.
Der IKW50N65H5 ist Ihr Partner auf dem Weg zu neuen Höchstleistungen. Er gibt Ihnen die Sicherheit, dass Ihre Projekte auf einer soliden Basis stehen und Ihre Innovationen Wirklichkeit werden können. Entfesseln Sie Ihr Potenzial und lassen Sie sich von der Leistung des IKW50N65H5 inspirieren.
Technische Details im Überblick
Für den detaillierten Einblick in die technischen Spezifikationen des IKW50N65H5, werfen wir einen Blick auf die wichtigsten Parameter:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Collector-Emitter-Sperrspannung (VCES) | 650 | V |
| Gate-Emitter-Spitzenspannung (VGES) | +/- 20 | V |
| Kollektorstrom (IC) | 80 | A |
| Puls-Kollektorstrom (ICP) | 160 | A |
| Emitter-Strom, begrenzt durch Chip (IE) | 80 | A |
| Gate-Lademenge (QG) | 100 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (td(on)) | 16 | ns |
| Anstiegszeit (tr) | 12 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) | 70 | ns |
| Fallzeit (tf) | 7 | ns |
| Einschaltenergie (Eon) | 1.1 | mJ |
| Ausschaltenergie (Eoff) | 0.4 | mJ |
| Sperrschichttemperatur (Tj) | -55 bis +150 | °C |
| Lagertemperatur (Tstg) | -55 bis +150 | °C |
| Wärmewiderstand Junction-to-Case (RthJC) | 0.41 | K/W |
Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den IKW50N65H5 optimal in Ihre Designs zu integrieren und die bestmögliche Leistung zu erzielen.
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FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IKW50N65H5
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IKW50N65H5 IGBT-Transistor:
- Was ist ein IGBT-Transistor?
- Ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Vorteile von Bipolar- und MOSFET-Transistoren vereint. Er wird hauptsächlich in der Leistungselektronik eingesetzt, um hohe Spannungen und Ströme zu schalten.
- Für welche Anwendungen ist der IKW50N65H5 geeignet?
- Der IKW50N65H5 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Induktionserwärmung, USV-Anlagen und Schweißgeräte.
- Welche Vorteile bietet das TO-247-3 Gehäuse?
- Das TO-247-3 Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage des Transistors auf Kühlkörpern.
- Wie hoch ist die maximale Sperrschichttemperatur des IKW50N65H5?
- Die maximale Sperrschichttemperatur des IKW50N65H5 beträgt 150°C.
- Was bedeutet der Wert von 650V (VCES)?
- Der Wert von 650V (VCES) gibt die maximale Kollektor-Emitter-Spannung an, die der Transistor aushalten kann, ohne zu beschädigen.
- Wo finde ich detailliertere technische Informationen zum IKW50N65H5?
- Detaillierte technische Informationen finden Sie im Produktdatenblatt des Herstellers, das Sie auf unserer Webseite herunterladen können.
- Ist der IKW50N65H5 RoHS-konform?
- Ja, der IKW50N65H5 ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen der Europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
