IKW40N120H3 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247

IKW40N120H3 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Anwendungen

Entdecken Sie den IKW40N120H3, einen hochmodernen IGBT-Transistor, der die Leistungselektronik auf ein neues Level hebt. Dieser N-Kanal-Transistor mit beeindruckenden 1200 V, 80 A und 483 W Leistung im robusten TO-247-Gehäuse ist die ideale Lösung für anspruchsvolle Anwendungen, die höchste Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Lassen Sie sich von der Kraft dieses Bauelements inspirieren und erleben Sie, wie der IKW40N120H3 Ihre Projekte beflügelt.

Technische Exzellenz für Ihre Projekte

Der IKW40N120H3 ist mehr als nur ein Bauelement; er ist das Ergebnis jahrelanger Forschung und Entwicklung im Bereich der Leistungselektronik. Seine herausragenden technischen Daten machen ihn zur ersten Wahl für Ingenieure und Entwickler, die keine Kompromisse eingehen wollen.

• N-Kanal IGBT: Ermöglicht schnelle Schaltzeiten und hohe Effizienz.
• 1200 V Sperrspannung: Bietet eine hohe Sicherheitsmarge für anspruchsvolle Anwendungen.
• 80 A Dauerstrom: Liefert ausreichend Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen.
• 483 W Verlustleistung: Ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen und Lasten.
• TO-247 Gehäuse: Bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung und einfache Montage.

Diese Kombination aus Leistung und Robustheit macht den IKW40N120H3 zu einem unverzichtbaren Bestandteil in Ihren Designs. Egal, ob Sie an einer neuen Generation von Solarinvertern arbeiten, effiziente Motorantriebe entwickeln oder innovative Schweißgeräte konstruieren – dieser IGBT-Transistor wird Ihre Erwartungen übertreffen.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IKW40N120H3 kennt kaum Grenzen. Hier sind einige der Anwendungsbereiche, in denen dieser IGBT-Transistor seine Stärken voll ausspielen kann:

• Solarinverter: Optimieren Sie die Energieumwandlung und maximieren Sie den Ertrag Ihrer Solaranlage.
• Motorantriebe: Steigern Sie die Effizienz und reduzieren Sie den Energieverbrauch von Elektromotoren.
• Schweißgeräte: Erzielen Sie präzise und zuverlässige Schweißergebnisse.
• USV-Systeme: Sichern Sie die Stromversorgung kritischer Geräte und Anlagen.
• Induktionserwärmung: Erwärmen Sie Materialien schnell und effizient.
• Leistungsfaktorkorrektur (PFC): Verbessern Sie die Energieeffizienz Ihrer Geräte und Anlagen.

Der IKW40N120H3 ist nicht nur ein Bauelement, sondern ein Partner, der Ihnen hilft, Ihre Visionen zu verwirklichen. Mit seiner Leistung und Zuverlässigkeit können Sie innovative Lösungen entwickeln, die einen echten Unterschied machen.

Technische Daten im Detail

Um Ihnen einen umfassenden Überblick zu verschaffen, haben wir die wichtigsten technischen Daten des IKW40N120H3 in einer übersichtlichen Tabelle zusammengefasst:

Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den IKW40N120H3 optimal in Ihre Designs zu integrieren und das volle Potenzial dieses leistungsstarken IGBT-Transistors auszuschöpfen.

Warum der IKW40N120H3 Ihre Projekte voranbringt

Die Entscheidung für den IKW40N120H3 ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Hier sind einige Gründe, warum dieser IGBT-Transistor die richtige Wahl ist:

• Höchste Effizienz: Reduzieren Sie Energieverluste und steigern Sie die Leistung Ihrer Anwendungen.
• Hohe Zuverlässigkeit: Vertrauen Sie auf einen robusten und langlebigen IGBT-Transistor.
• Einfache Integration: Profitieren Sie von der einfachen Montage und dem bewährten TO-247-Gehäuse.
• Vielseitige Anwendbarkeit: Nutzen Sie den IKW40N120H3 in einer Vielzahl von Anwendungen.
• Optimale Leistung: Erzielen Sie herausragende Ergebnisse in Ihren Projekten.

Mit dem IKW40N120H3 setzen Sie auf ein Bauelement, das Ihre Erwartungen nicht nur erfüllt, sondern übertrifft. Lassen Sie sich von seiner Leistung inspirieren und gestalten Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IKW40N120H3

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IKW40N120H3. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

1. Was bedeutet IGBT?

   IGBT steht für Insulated Gate Bipolar Transistor. Es ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften eines Bipolartransistors (BJT) und eines MOSFETs kombiniert. IGBTs werden häufig in der Leistungselektronik für Schaltanwendungen eingesetzt.

2. Für welche Anwendungen ist der IKW40N120H3 besonders geeignet?

   Der IKW40N120H3 eignet sich besonders gut für Solarinverter, Motorantriebe, Schweißgeräte, USV-Systeme, Induktionserwärmung und Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

3. Welche Vorteile bietet das TO-247 Gehäuse?

   Das TO-247 Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage. Es ist ein robustes und bewährtes Gehäuse für Leistungshalbleiter.

4. Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur des IKW40N120H3?

   Die maximale Betriebstemperatur (T_j) des IKW40N120H3 beträgt 175 °C.

5. Kann ich den IKW40N120H3 in einer Parallelschaltung betreiben?

   Ja, der IKW40N120H3 kann in einer Parallelschaltung betrieben werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, auf eine gleichmäßige Stromverteilung zu achten und geeignete Maßnahmen zur Lastteilung zu treffen.

6. Wo finde ich detailliertere Informationen zum IKW40N120H3?

   Detailliertere Informationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers. Sie können das Datenblatt in unserem Downloadbereich herunterladen oder direkt beim Hersteller einsehen.

7. Was ist bei der Ansteuerung des IKW40N120H3 zu beachten?

   Bei der Ansteuerung des IKW40N120H3 ist es wichtig, eine geeignete Gate-Ansteuerungsschaltung zu verwenden, die schnelle Schaltzeiten und eine ausreichende Gate-Spannung gewährleistet. Außerdem sollte die Gate-Spannung innerhalb der spezifizierten Grenzen von ±20 V gehalten werden.

Wir hoffen, diese Produktbeschreibung hat Ihnen geholfen, den IKW40N120H3 besser kennenzulernen. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie die Leistung und Zuverlässigkeit dieses außergewöhnlichen IGBT-Transistors!