IKW15N120H3 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 217 W, TO-247

IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz