**IKW15N120H3 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Elektronikprojekten**
Sind Sie auf der Suche nach einer zuverlässigen und leistungsstarken Lösung für Ihre anspruchsvollen Elektronikprojekte? Der IKW15N120H3 IGBT-Transistor ist mehr als nur eine Komponente – er ist das Herzstück für effiziente und robuste Leistungselektronik. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen dieser N-Kanal IGBT-Transistor mit seinen beeindruckenden Spezifikationen bietet.
Technische Details und Spezifikationen im Überblick
Der IKW15N120H3 ist ein N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für hohe Spannungen und Ströme ausgelegt ist. Seine robuste Bauweise und fortschrittliche Technologie machen ihn zu einer idealen Wahl für Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern.
Wichtige Eigenschaften des IKW15N120H3:
- Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Kanal-Typ: N-Kanal
- Nennspannung (VCE): 1200 V
- Nennstrom (IC): 30 A
- Verlustleistung (Ptot): 217 W
- Gehäuse: TO-247
Diese Spezifikationen verdeutlichen, dass der IKW15N120H3 in der Lage ist, anspruchsvolle Aufgaben in einer Vielzahl von Anwendungen zu bewältigen. Seine hohe Spannungsfestigkeit und der beachtliche Nennstrom machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für professionelle und industrielle Anwendungen.
Anwendungsbereiche des IKW15N120H3
Der IKW15N120H3 ist ein vielseitiger IGBT-Transistor, der in einer breiten Palette von Anwendungen eingesetzt werden kann. Seine Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für:
- Schaltnetzteile (SMPS): In Netzteilen sorgt er für eine effiziente und stabile Energieversorgung.
- Frequenzumrichter: Er ermöglicht die präzise Steuerung von Motoren und Antrieben.
- Induktionserwärmung: Er liefert die notwendige Leistung für effiziente Erwärmungsprozesse.
- Schweißgeräte: Er gewährleistet eine stabile und zuverlässige Stromversorgung für hochwertige Schweißergebnisse.
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Er sichert die kontinuierliche Stromversorgung kritischer Systeme bei Stromausfällen.
Diese Beispiele zeigen nur einen kleinen Ausschnitt der vielfältigen Einsatzmöglichkeiten des IKW15N120H3. Seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu schalten, macht ihn zu einer unverzichtbaren Komponente in modernen Leistungselektroniksystemen.
Warum Sie sich für den IKW15N120H3 entscheiden sollten
Die Wahl des richtigen IGBT-Transistors ist entscheidend für die Leistung und Zuverlässigkeit Ihrer Elektronikprojekte. Der IKW15N120H3 bietet Ihnen eine Reihe von Vorteilen, die ihn von anderen Komponenten abheben:
- Hohe Effizienz: Der IKW15N120H3 zeichnet sich durch geringe Schaltverluste aus, was zu einer höheren Effizienz Ihrer Schaltungen führt. Dies spart Energie und reduziert die Wärmeentwicklung.
- Robuste Bauweise: Dank seiner robusten Konstruktion und der Verwendung hochwertiger Materialien ist der IKW15N120H3 besonders widerstandsfähig gegenüber extremen Bedingungen und Belastungen.
- Hohe Zuverlässigkeit: Der IKW15N120H3 wurde entwickelt, um auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig zu funktionieren. Dies minimiert Ausfallzeiten und Wartungskosten.
- Einfache Integration: Das TO-247 Gehäuse ermöglicht eine einfache und unkomplizierte Montage in Ihre bestehenden Schaltungen.
Der IKW15N120H3 ist somit eine Investition in die Langlebigkeit und Leistungsfähigkeit Ihrer Elektronikprojekte. Er bietet Ihnen die Sicherheit, dass Ihre Schaltungen auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig funktionieren.
Detaillierte Technische Daten
Für eine umfassende Bewertung des IKW15N120H3 sind detaillierte technische Daten unerlässlich. Die folgende Tabelle bietet Ihnen einen detaillierten Überblick über die wichtigsten Parameter:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) | 1200 | V |
| Kollektorstrom (IC) | 30 | A |
| Puls-Kollektorstrom (ICM) | 60 | A |
| Gate-Emitter-Spannung (VGE) | ±20 | V |
| Verlustleistung (Ptot) | 217 | W |
| Gate-Ladung (Qg) | 75 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (td(on)) | 17 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) | 140 | ns |
| Betriebstemperatur (Tj) | -40 bis +175 | °C |
| Gehäuse | TO-247 | – |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen detaillierten Einblick in die Leistungsparameter des IKW15N120H3. Sie ermöglicht Ihnen eine fundierte Entscheidung, ob dieser IGBT-Transistor die richtige Wahl für Ihre spezifischen Anforderungen ist.
Der IKW15N120H3 in der Praxis: Erfolgsgeschichten
Viele unserer Kunden haben den IKW15N120H3 bereits erfolgreich in ihren Projekten eingesetzt und von seiner Leistung und Zuverlässigkeit profitiert. Hier sind einige Beispiele:
- Ein Hersteller von Schweißgeräten konnte durch den Einsatz des IKW15N120H3 die Effizienz seiner Geräte deutlich steigern und gleichzeitig die Ausfallrate reduzieren.
- Ein Anbieter von USV-Systemen hat den IKW15N120H3 integriert, um die Zuverlässigkeit seiner Systeme zu verbessern und seinen Kunden einen noch besseren Schutz vor Stromausfällen zu bieten.
- Ein Ingenieurteam, das an einem innovativen Frequenzumrichter arbeitete, war beeindruckt von der hohen Schaltgeschwindigkeit und der geringen Verlustleistung des IKW15N120H3.
Diese Erfolgsgeschichten zeigen, dass der IKW15N120H3 nicht nur auf dem Papier überzeugt, sondern auch in der Praxis seine Versprechen hält. Er ist eine bewährte und zuverlässige Lösung für anspruchsvolle Elektronikprojekte.
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FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IKW15N120H3
1. Was ist ein IGBT-Transistor und wofür wird er verwendet?
Ein IGBT-Transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften von Bipolartransistoren und MOSFETs vereint. Er wird hauptsächlich in der Leistungselektronik zum Schalten hoher Spannungen und Ströme eingesetzt, beispielsweise in Schaltnetzteilen, Frequenzumrichtern und Schweißgeräten.
2. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal“ beim IKW15N120H3?
„N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Kanals im Transistor, der den Stromfluss steuert. In einem N-Kanal-IGBT wird der Stromfluss durch Elektronen (negativ geladene Teilchen) ermöglicht. Dies ist eine gängige Bauweise für IGBTs.
3. Kann ich den IKW15N120H3 in meinen bestehenden Schaltungen verwenden?
Ja, der IKW15N120H3 ist für die Integration in bestehende Schaltungen konzipiert. Sein TO-247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage. Es ist jedoch wichtig, die technischen Daten und Anforderungen Ihrer Schaltung zu berücksichtigen, um sicherzustellen, dass der IKW15N120H3 die richtige Wahl ist.
4. Welche Kühlmaßnahmen sind für den IKW15N120H3 erforderlich?
Aufgrund der hohen Verlustleistung von 217 W ist eine ausreichende Kühlung des IKW15N120H3 unerlässlich, um eine Überhitzung und Beschädigung des Bauteils zu vermeiden. Die genauen Kühlmaßnahmen hängen von den spezifischen Betriebsbedingungen ab, können aber den Einsatz eines Kühlkörpers oder sogar einer aktiven Kühlung (z.B. Lüfter) umfassen.
5. Wo finde ich das Datenblatt für den IKW15N120H3?
Das Datenblatt für den IKW15N120H3 finden Sie auf der Website des Herstellers oder in unserer Download-Sektion auf der Produktseite. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die technischen Spezifikationen, Kennlinien und Anwendungsrichtlinien des Bauteils.
6. Was ist der Unterschied zwischen dem Nennstrom (IC) und dem Puls-Kollektorstrom (ICM)?
Der Nennstrom (IC) ist der maximale Strom, den der IGBT dauerhaft führen kann, während der Puls-Kollektorstrom (ICM) der maximale Strom ist, den der IGBT für kurze Zeitperioden (Pulsen) führen kann. Der ICM-Wert ist in der Regel höher als der IC-Wert, aber es ist wichtig, die maximal zulässige Pulsdauer und das Tastverhältnis zu beachten, um eine Überlastung des Bauteils zu vermeiden.
7. Was passiert, wenn die Gate-Emitter-Spannung (VGE) überschritten wird?
Wenn die maximale Gate-Emitter-Spannung (VGE) von ±20 V überschritten wird, kann dies zu einer Beschädigung des Gate-Isolators und somit zu einem Ausfall des IGBT führen. Es ist daher wichtig, sicherzustellen, dass die Gate-Spannung innerhalb der zulässigen Grenzen gehalten wird.
