IKW 25T120 – IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 190W, TO-247

IKW 25T120 IGBT-Transistor: Die Kraft für Ihre anspruchsvollen Projekte

Sind Sie auf der Suche nach einem zuverlässigen und leistungsstarken IGBT-Transistor für Ihre anspruchsvollen Elektronikprojekte? Dann ist der IKW 25T120 genau das Richtige für Sie. Dieser N-Kanal IGBT-Transistor vereint beeindruckende Leistungsfähigkeit mit robuster Bauweise und bietet Ihnen die Basis für innovative und effiziente Lösungen.

Der IKW 25T120 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel, der Ihnen die Tür zu neuen Möglichkeiten in der Leistungselektronik öffnet. Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hochmodernes Schweißgerät, ein effizientes Solarinvertersystem oder eine präzise Motorsteuerung. Mit dem IKW 25T120 als Herzstück Ihrer Schaltung erreichen Sie eine Performance, die Ihre Erwartungen übertrifft.

Technische Daten im Überblick:

Hier sind die wichtigsten technischen Details des IKW 25T120, die Ihnen helfen, die richtige Entscheidung für Ihr Projekt zu treffen:

Anwendungsbereiche des IKW 25T120

Die Vielseitigkeit des IKW 25T120 IGBT-Transistors ermöglicht den Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen. Einige Beispiele sind:

• Schweißgeräte: Erzielen Sie stabile und präzise Schweißprozesse durch die schnelle Schaltfähigkeit und hohe Strombelastbarkeit des Transistors.
• Solarinverter: Wandeln Sie Sonnenenergie effizient in nutzbaren Strom um und tragen Sie so zur Energiewende bei.
• Motorsteuerungen: Steuern Sie Elektromotoren präzise und dynamisch für Anwendungen in der Robotik, Automation und Elektromobilität.
• USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Sorgen Sie für eine zuverlässige Stromversorgung kritischer Geräte und Systeme bei Netzausfällen.
• Induktionserwärmung: Erwärmen Sie Metalle schnell und effizient für industrielle Prozesse.
• Leistungsfaktorkorrektur (PFC): Verbessern Sie die Energieeffizienz von elektronischen Geräten und reduzieren Sie den Energieverbrauch.

Warum der IKW 25T120 die richtige Wahl ist

Die Entscheidung für den IKW 25T120 IGBT-Transistor ist eine Investition in die Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit Ihrer Projekte. Hier sind einige Gründe, warum dieser Transistor Ihre Erwartungen erfüllen wird:

• Hohe Spitzensperrspannung: Mit einer Spitzensperrspannung von 1200 V bietet der IKW 25T120 einen großen Sicherheitsspielraum und schützt Ihre Schaltung vor Überspannungen.
• Hoher Kollektorstrom: Der maximale Kollektorstrom von 50 A ermöglicht den Betrieb von leistungsstarken Verbrauchern.
• Geringe Schaltverluste: Dank seiner optimierten Konstruktion minimiert der IKW 25T120 die Schaltverluste und trägt so zu einer hohen Energieeffizienz bei.
• Robustes Gehäuse: Das TO-247 Gehäuse sorgt für eine gute Wärmeableitung und eine lange Lebensdauer des Transistors.
• Hohe Zuverlässigkeit: Der IKW 25T120 wird nach strengen Qualitätsstandards gefertigt und bietet eine hohe Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Der IKW 25T120 ist nicht einfach nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für Leistung, Zuverlässigkeit und Innovation. Er ist der Partner, der Ihre Ideen zum Leben erweckt und Ihre Projekte zu einem Erfolg macht. Mit seiner Hilfe können Sie Grenzen überschreiten und neue Maßstäbe setzen.

Bestellen Sie Ihren IKW 25T120 IGBT-Transistor noch heute und erleben Sie die Kraft der modernen Leistungselektronik! Lassen Sie sich von seiner Performance inspirieren und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet. Wir sind überzeugt, dass Sie von seiner Qualität und Leistungsfähigkeit begeistert sein werden.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IKW 25T120

Wir haben für Sie die häufigsten Fragen zum IKW 25T120 IGBT-Transistor zusammengestellt:

1. Was bedeutet die Bezeichnung „IGBT“?

   IGBT steht für Insulated Gate Bipolar Transistor. Es ist ein Halbleiterbauelement, das die Vorteile von Bipolartransistoren (hohe Strombelastbarkeit) und MOSFETs (einfache Ansteuerung) vereint.

2. Welche Kühlmaßnahmen sind für den IKW 25T120 erforderlich?

   Die Kühlmaßnahmen hängen von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. In den meisten Fällen ist ein Kühlkörper erforderlich, um die maximale Betriebstemperatur des Transistors nicht zu überschreiten. Die genauen Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

3. Kann ich den IKW 25T120 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

   Ja, es ist möglich, IGBTs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist dabei Vorsicht geboten, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Es empfiehlt sich, Widerstände in die Gate-Kreise einzufügen, um Stromungleichgewichte zu vermeiden.

4. Wo finde ich das Datenblatt des IKW 25T120?

   Das Datenblatt des IKW 25T120 finden Sie auf der Website des Herstellers oder in unserer Produktdokumentation zum Download.

5. Ist der IKW 25T120 ESD-empfindlich?

   Ja, wie die meisten Halbleiterbauelemente ist auch der IKW 25T120 ESD-empfindlich. Beim Umgang mit dem Transistor sollten Sie daher ESD-Schutzmaßnahmen treffen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbandes.

6. Welche Alternativen gibt es zum IKW 25T120?

   Abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen gibt es verschiedene Alternativen zum IKW 25T120. Einige Beispiele sind IGBTs mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten von anderen Herstellern. Kontaktieren Sie uns gerne für eine individuelle Beratung.

7. Wie berechne ich die benötigte Gate-Ansteuerung für den IKW 25T120?

   Die Berechnung der Gate-Ansteuerung hängt von der gewünschten Schaltgeschwindigkeit und den Parametern der Schaltung ab. Informationen dazu finden Sie im Datenblatt des Transistors und in Applikationshinweisen des Herstellers.