IGW25N120H3 – IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3

IGW25N120H3 – Der Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IGW25N120H3 IGBT-Transistor. Dieser Hochleistungstransistor ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Herzstück zukunftsorientierter Lösungen, die Effizienz, Zuverlässigkeit und Innovation vereinen. Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen, bietet der IGW25N120H3 die Performance, die Sie benötigen, um Ihre Projekte auf das nächste Level zu heben.

Der IGW25N120H3 ist ein N-Kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit einer Sperrspannung von 1200V und einem kontinuierlichen Kollektorstrom von 50A. Er ist für eine Verlustleistung von bis zu 326W ausgelegt. Das TO-247-3 Gehäuse sorgt für eine hervorragende Wärmeableitung und ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Anwendungen.

Technische Highlights, die begeistern

Der IGW25N120H3 überzeugt durch seine herausragenden technischen Eigenschaften. Seine niedrigen Schaltverluste ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb, während seine robuste Bauweise eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit gewährleistet. Dieser IGBT-Transistor ist die ideale Wahl für Anwendungen, die höchste Ansprüche an Performance und Effizienz stellen.

• Hohe Sperrspannung: 1200V für anspruchsvolle Anwendungen
• Hoher Kollektorstrom: 50A für leistungsstarke Schaltungen
• Niedrige Schaltverluste: Für maximale Effizienz
• Robuste Bauweise: Für lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit
• TO-247-3 Gehäuse: Für optimale Wärmeableitung

Anwendungsbereiche, die inspirieren

Der IGW25N120H3 ist ein wahres Multitalent und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Einsatz. Ob in der Antriebstechnik, in der Energieversorgung oder in der Medizintechnik – dieser IGBT-Transistor meistert jede Herausforderung mit Bravour.

Hier sind einige Beispiele:

• Frequenzumrichter: Steuerung von Motoren mit höchster Präzision und Effizienz
• Schweißgeräte: Erzeugung stabiler und zuverlässiger Schweißströme
• USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Sicherstellung einer unterbrechungsfreien Stromversorgung in kritischen Situationen
• Induktionserwärmung: Effiziente und präzise Erwärmung von Materialien
• Solarwechselrichter: Umwandlung von Solarstrom in netzkonformen Wechselstrom

Warum der IGW25N120H3 Ihre erste Wahl sein sollte

In einer Welt, in der Effizienz und Zuverlässigkeit immer wichtiger werden, ist der IGW25N120H3 die perfekte Wahl. Er bietet nicht nur herausragende technische Eigenschaften, sondern auch ein unschlagbares Preis-Leistungs-Verhältnis. Investieren Sie in die Zukunft Ihrer Projekte und setzen Sie auf den IGW25N120H3 – den IGBT-Transistor, der Ihre Erwartungen übertreffen wird.

Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem Bauteil Ihre eigenen Innovationen vorantreiben können. Wie Sie mit seiner Hilfe energieeffizientere Geräte entwickeln, zuverlässigere Systeme bauen und somit einen Beitrag zu einer nachhaltigeren Zukunft leisten. Der IGW25N120H3 ist mehr als nur ein Transistor; er ist ein Werkzeug, das Ihnen hilft, Ihre Visionen zu verwirklichen.

Technische Daten im Detail

Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des IGW25N120H3:

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Ihre Zufriedenheit ist unser oberstes Ziel. Deshalb bieten wir Ihnen nicht nur ein hochwertiges Produkt, sondern auch einen umfassenden Service. Bei Fragen oder Problemen stehen wir Ihnen jederzeit gerne zur Verfügung. Wir sind Ihr zuverlässiger Partner für Leistungselektronik und unterstützen Sie bei der Realisierung Ihrer Ideen.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IGW25N120H3

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IGW25N120H3. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

Was ist ein IGBT-Transistor?

Ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften eines Bipolartransistors (BJT) und eines MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) vereint. Er wird hauptsächlich in der Leistungselektronik eingesetzt, um hohe Ströme und Spannungen zu schalten.

Wofür wird der IGW25N120H3 verwendet?

Der IGW25N120H3 wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Frequenzumrichter, Schweißgeräte, USV-Anlagen, Induktionserwärmung und Solarwechselrichter. Er eignet sich überall dort, wo hohe Ströme und Spannungen effizient geschaltet werden müssen.

Wie hoch ist die maximale Sperrspannung des IGW25N120H3?

Die maximale Sperrspannung (V_CES) des IGW25N120H3 beträgt 1200V.

Welches Gehäuse hat der IGW25N120H3?

Der IGW25N120H3 wird im TO-247-3 Gehäuse geliefert. Dieses Gehäuse ermöglicht eine gute Wärmeableitung.

Was bedeutet der Begriff „N-CH“ bei einem IGBT-Transistor?

„N-CH“ steht für N-Kanal. Es bezieht sich auf die Art der Dotierung des Halbleitermaterials im Transistor. N-Kanal-IGBTs sind häufig in Leistungselektronik-Anwendungen anzutreffen.

Kann ich den IGW25N120H3 in meiner bestehenden Schaltung verwenden?

Das hängt von den Spezifikationen Ihrer Schaltung ab. Stellen Sie sicher, dass die Spannungs- und Stromanforderungen Ihrer Schaltung mit den Werten des IGW25N120H3 übereinstimmen. Es ist ratsam, das Datenblatt des IGW25N120H3 zu konsultieren und gegebenenfalls einen Experten zu Rate zu ziehen.

Wo finde ich das Datenblatt für den IGW25N120H3?

Das Datenblatt für den IGW25N120H3 finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers (z.B. Infineon) oder auf verschiedenen Online-Datenbanken für elektronische Bauelemente. Die Datenblätter enthalten detaillierte Informationen über die elektrischen Eigenschaften, die thermischen Eigenschaften und die Anwendungsrichtlinien des Bauteils.