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IDW20G120C5B - SiC-Dual-Schottkydiode

IDW20G120C5B – SiC-Dual-Schottkydiode, 1200V, 20A (2×10), TO247

9,35 €

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Artikelnummer: 8b987d428758 Kategorie: Schottkydioden
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  • Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik mit der IDW20G120C5B SiC-Dual-Schottkydiode
    • Warum die IDW20G120C5B die richtige Wahl für Sie ist
    • Technische Daten im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Die Vorteile von SiC-Technologie auf einen Blick
    • Installation und Handhabung
    • Ihr Weg zu einer besseren Zukunft der Leistungselektronik
    • Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik mit der IDW20G120C5B SiC-Dual-Schottkydiode

Willkommen in der Zukunft der Leistungselektronik! Die IDW20G120C5B SiC-Dual-Schottkydiode ist nicht einfach nur eine Komponente – sie ist ein Gamechanger. Entwickelt, um Ihre Systeme auf ein neues Level an Effizienz, Zuverlässigkeit und Performance zu heben, bietet diese Diode eine außergewöhnliche Lösung für anspruchsvolle Anwendungen. Stellen Sie sich vor, Ihre Geräte arbeiten kühler, schneller und effizienter. Mit der IDW20G120C5B wird diese Vision Realität.

Warum die IDW20G120C5B die richtige Wahl für Sie ist

In einer Welt, die sich ständig weiterentwickelt, ist es entscheidend, auf Technologien zu setzen, die mit den wachsenden Anforderungen Schritt halten. Die IDW20G120C5B wurde speziell für diesen Zweck entwickelt. Sie kombiniert die Vorteile von Siliziumkarbid (SiC) mit einer Dual-Schottky-Konfiguration, um Ihnen eine unübertroffene Performance zu bieten. Aber was bedeutet das konkret für Sie?

Höhere Effizienz: Die SiC-Technologie ermöglicht einen deutlich geringeren Durchlassspannungsabfall und minimalste Schaltverluste. Das bedeutet weniger Energieverschwendung und eine effizientere Nutzung Ihrer Ressourcen. Weniger Wärmeentwicklung bedeutet auch eine längere Lebensdauer Ihrer Komponenten und Systeme.

Schnellere Schaltgeschwindigkeiten: Die Dual-Schottky-Konfiguration sorgt für extrem schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Dies ist besonders wichtig in Anwendungen, in denen es auf jede Mikrosekunde ankommt, wie z.B. in Frequenzumrichtern, Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV).

Höhere Spannungsfestigkeit: Mit einer Nennspannung von 1200V bietet die IDW20G120C5B eine robuste Performance, selbst unter anspruchsvollen Bedingungen. Sie können sich auf diese Diode verlassen, um Ihre Systeme vor Überspannungen und anderen transienten Ereignissen zu schützen.

Verbesserte Zuverlässigkeit: Die SiC-Technologie ist bekannt für ihre hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer. Die IDW20G120C5B ist so konzipiert, dass sie auch unter extremen Bedingungen zuverlässig arbeitet, was zu geringeren Ausfallzeiten und niedrigeren Wartungskosten führt.

Technische Daten im Detail

Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht der technischen Spezifikationen der IDW20G120C5B:

Parameter Wert
Nennspannung (VRRM) 1200V
Durchlassstrom (IF) 20A (2x10A)
Gehäusetyp TO247
Sperrstrom (IR) Typischerweise < 10 µA bei 25°C
Vorwärtsspannung (VF) Typischerweise 1,6V bei 10A, 25°C
Betriebstemperaturbereich -55°C bis +175°C
Technologie Siliziumkarbid (SiC) Schottky

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit der IDW20G120C5B ermöglicht den Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen:

  • Leistungselektronik: Ideal für den Einsatz in PFC-Schaltungen (Power Factor Correction), Inverser-Dioden und Freilaufdioden.
  • Frequenzumrichter: Die schnellen Schaltgeschwindigkeiten und die hohe Effizienz machen diese Diode zur perfekten Wahl für Frequenzumrichter in Industrieanwendungen.
  • Solarwechselrichter: Optimieren Sie die Leistung Ihrer Solaranlagen mit der IDW20G120C5B, die für maximale Effizienz und Zuverlässigkeit sorgt.
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV): Sichern Sie die Stromversorgung kritischer Systeme mit einer zuverlässigen und effizienten Diode, die auch bei hohen Belastungen standhält.
  • Elektrofahrzeuge (EV): Nutzen Sie die Vorteile der SiC-Technologie in Ihren EV-Antrieben und Ladesystemen für eine höhere Reichweite und schnellere Ladezeiten.
  • Schweißgeräte: Profitieren Sie von der robusten Performance und der hohen Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Schweißanwendungen.

Die Vorteile von SiC-Technologie auf einen Blick

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das im Vergleich zu herkömmlichem Silizium (Si) erhebliche Vorteile bietet:

  • Höhere Bandlücke: Ermöglicht den Betrieb bei höheren Temperaturen und Spannungen.
  • Höhere Durchbruchfeldstärke: Ermöglicht die Herstellung von Bauelementen mit geringerem Widerstand und höherer Spannungsfestigkeit.
  • Höhere Wärmeleitfähigkeit: Ermöglicht eine effizientere Wärmeableitung und somit eine höhere Leistungsdichte.
  • Schnellere Schaltgeschwindigkeiten: Ermöglicht den Betrieb bei höheren Frequenzen und reduziert die Schaltverluste.

Diese Eigenschaften machen SiC-Dioden wie die IDW20G120C5B zur idealen Wahl für Anwendungen, die höchste Ansprüche an Effizienz, Zuverlässigkeit und Performance stellen.

Installation und Handhabung

Die IDW20G120C5B wird im TO247-Gehäuse geliefert, das eine einfache und zuverlässige Montage ermöglicht. Achten Sie bei der Installation auf eine ausreichende Kühlung, um die maximale Leistungsfähigkeit der Diode zu gewährleisten. Verwenden Sie Wärmeleitpaste zwischen der Diode und dem Kühlkörper, um eine optimale Wärmeübertragung zu gewährleisten.

Wichtiger Hinweis: Beachten Sie die maximal zulässigen Werte für Spannung, Strom und Temperatur, um Schäden an der Diode und Ihren Systemen zu vermeiden. Lesen Sie vor der Installation und Inbetriebnahme das Datenblatt sorgfältig durch.

Ihr Weg zu einer besseren Zukunft der Leistungselektronik

Mit der IDW20G120C5B SiC-Dual-Schottkydiode investieren Sie nicht nur in eine Komponente, sondern in die Zukunft Ihrer Leistungselektronik. Erleben Sie die Vorteile von SiC-Technologie und revolutionieren Sie Ihre Systeme. Steigern Sie die Effizienz, verbessern Sie die Zuverlässigkeit und optimieren Sie die Performance – mit der IDW20G120C5B sind Sie bestens gerüstet für die Herausforderungen von morgen.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zur IDW20G120C5B SiC-Dual-Schottkydiode:

  1. Frage: Was bedeutet die Bezeichnung „2×10“ beim Stromwert von 20A?

    Antwort: Die Bezeichnung „2×10“ bedeutet, dass die Diode aus zwei einzelnen 10A-Dioden besteht, die parallel geschaltet sind. Dies ermöglicht eine höhere Strombelastbarkeit.

  2. Frage: Kann ich die IDW20G120C5B auch in Hochfrequenzanwendungen einsetzen?

    Antwort: Ja, die IDW20G120C5B ist aufgrund ihrer schnellen Schaltgeschwindigkeiten sehr gut für Hochfrequenzanwendungen geeignet.

  3. Frage: Welche Kühlkörpergröße empfehlen Sie für die IDW20G120C5B?

    Antwort: Die benötigte Kühlkörpergröße hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Konsultieren Sie das Datenblatt der Diode, um die optimale Kühlkörpergröße zu bestimmen.

  4. Frage: Ist die IDW20G120C5B RoHS-konform?

    Antwort: Ja, die IDW20G120C5B ist RoHS-konform und entspricht den aktuellen Umweltstandards.

  5. Frage: Gibt es eine Garantie auf die IDW20G120C5B?

    Antwort: Wir bieten eineStandardgarantie auf alle unsere Produkte. Die genauen Garantiebedingungen finden Sie in unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen.

  6. Frage: Wo finde ich das Datenblatt der IDW20G120C5B?

    Antwort: Das Datenblatt der IDW20G120C5B können Sie auf unserer Website im Downloadbereich der Produktseite herunterladen.

  7. Frage: Kann ich die Dioden auch kaskadieren, um eine höhere Spannungsfestigkeit zu erreichen?

    Antwort: Das Kaskadieren von Dioden zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit ist theoretisch möglich, erfordert jedoch eine sorgfältige Auslegung der Beschaltung, um eine gleichmäßige Spannungsverteilung sicherzustellen. Wir empfehlen, für höhere Spannungen eine Diode mit entsprechender Spannungsfestigkeit zu wählen.

Bewertungen: 4.9 / 5. 662

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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