IDW10G120C5B – SiC-Dual-Schottkydiode, 1200V, 10A (2×5), TO247

CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 – Anode 1 • Pin 2 und Rückseite – Kathode• Pin 3 – Anode 2