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IDH16G120C5 - SiC-Schottkydiode

IDH16G120C5 – SiC-Schottkydiode, 1200V, 16A, TO220AC

9,30 €

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Artikelnummer: d13ff2677602 Kategorie: Schottkydioden
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  • IDH16G120C5 – SiC-Schottkydiode: Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik
    • Unübertroffene Leistung für anspruchsvolle Anwendungen
    • Die Vorteile im Detail: Warum SiC den Unterschied macht
    • Technische Daten im Überblick
    • Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit für Ihre Innovationen
    • Das TO220AC Gehäuse: Robust und einfach zu handhaben
    • Warum Sie sich für die IDH16G120C5 entscheiden sollten
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zur IDH16G120C5

IDH16G120C5 – SiC-Schottkydiode: Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik

Entdecken Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit der IDH16G120C5 SiC-Schottkydiode! Dieses innovative Bauelement vereint höchste Effizienz mit unübertroffener Zuverlässigkeit und eröffnet Ihnen völlig neue Möglichkeiten in Ihren Anwendungen. Tauchen Sie ein in die Welt der Siliziumkarbid-Technologie und erleben Sie, wie die IDH16G120C5 Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

Unübertroffene Leistung für anspruchsvolle Anwendungen

Die IDH16G120C5 ist eine 1200V, 16A SiC-Schottkydiode im robusten TO220AC Gehäuse. Sie wurde entwickelt, um den hohen Anforderungen moderner Leistungselektronik gerecht zu werden. Dank der Verwendung von Siliziumkarbid (SiC) bietet diese Diode eine Reihe von Vorteilen gegenüber herkömmlichen Siliziumdioden, die sich direkt in der Performance Ihrer Systeme bemerkbar machen.

Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltverluste drastisch reduzieren, Ihre Schaltfrequenzen erhöhen und gleichzeitig die Wärmeentwicklung minimieren. Mit der IDH16G120C5 wird diese Vision Realität. Ihre Anwendungen werden effizienter, kompakter und zuverlässiger.

Die Vorteile im Detail: Warum SiC den Unterschied macht

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit außergewöhnlichen Eigenschaften, die es ideal für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen machen. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile der IDH16G120C5 SiC-Schottkydiode:

  • Nahezu keine Sperrverzögerungsladung (Qrr): Im Vergleich zu Siliziumdioden eliminiert die IDH16G120C5 nahezu vollständig die Sperrverzögerungsladung. Dies führt zu deutlich geringeren Schaltverlusten, insbesondere bei hohen Schaltfrequenzen. Das bedeutet mehr Leistung, weniger Wärme und eine höhere Effizienz für Ihre Anwendungen.
  • Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer Sperrspannung von 1200V bietet die IDH16G120C5 eine hohe Sicherheitsreserve und eignet sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik. Sie können sich auf ihre Stabilität verlassen, auch unter schwierigen Bedingungen.
  • Hohe Betriebstemperatur: SiC-Bauelemente können bei höheren Temperaturen betrieben werden als herkömmliche Siliziumbauelemente. Die IDH16G120C5 ist für einen weiten Temperaturbereich ausgelegt, was sie ideal für Anwendungen in rauen Umgebungen macht.
  • Schnelles Schaltverhalten: Die IDH16G120C5 zeichnet sich durch ein extrem schnelles Schaltverhalten aus. Dies ermöglicht höhere Schaltfrequenzen und damit eine kompaktere Bauweise Ihrer Leistungselektroniksysteme.
  • Geringer Durchlassspannungsabfall (Vf): Ein geringer Durchlassspannungsabfall minimiert die Verlustleistung und trägt zur Effizienzsteigerung bei. Die IDH16G120C5 optimiert Ihre Energiebilanz und spart Kosten.

Technische Daten im Überblick

Hier finden Sie die wichtigsten technischen Daten der IDH16G120C5 SiC-Schottkydiode:

Parameter Wert
Sperrspannung (VRRM) 1200 V
Durchlassstrom (IF) 16 A
Spitzenstoßstrom (IFSM) 80 A
Durchlassspannung (VF) Typisch 1.7 V bei IF = 16 A
Sperrstrom (IR) Typisch 5 µA bei VR = 1200 V
Betriebstemperaturbereich (Tj) -55 °C bis +175 °C
Gehäuse TO220AC

Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit für Ihre Innovationen

Die IDH16G120C5 SiC-Schottkydiode ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik, darunter:

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC): Steigern Sie die Effizienz Ihrer PFC-Schaltungen und reduzieren Sie die Oberwellenbelastung des Netzes.
  • Wechselrichter: Optimieren Sie die Leistung Ihrer Wechselrichter für Solaranlagen, USV-Systeme und andere Anwendungen.
  • Schaltnetzteile (SMPS): Entwickeln Sie kompaktere und effizientere Schaltnetzteile für Industrie, Telekommunikation und Consumer-Elektronik.
  • Motorantriebe: Verbessern Sie die Leistung und Effizienz von Motorantrieben für Elektrofahrzeuge, Industrieanlagen und andere Anwendungen.
  • Induktives Erwärmen: Steigern Sie die Effizienz und Präzision Ihrer induktiven Erwärmungssysteme.

Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die Ihnen die IDH16G120C5 bietet! Sie ist nicht nur ein Bauelement, sondern ein Schlüssel zur Innovation.

Das TO220AC Gehäuse: Robust und einfach zu handhaben

Das TO220AC Gehäuse ist ein weit verbreitetes und robustes Gehäuse, das sich durch seine einfache Handhabung und gute Wärmeableitung auszeichnet. Es ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern und bietet somit eine optimale Wärmeableitung für anspruchsvolle Anwendungen. Die IDH16G120C5 im TO220AC Gehäuse ist somit ideal für Entwickler, die eine zuverlässige und einfach zu integrierende Lösung suchen.

Warum Sie sich für die IDH16G120C5 entscheiden sollten

Die IDH16G120C5 SiC-Schottkydiode ist mehr als nur ein elektronisches Bauelement. Sie ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Sie bietet Ihnen:

  • Höhere Effizienz: Reduzieren Sie Ihre Schaltverluste und senken Sie Ihren Energieverbrauch.
  • Höhere Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf die robuste SiC-Technologie, auch unter extremen Bedingungen.
  • Kompaktere Bauweise: Nutzen Sie die hohen Schaltfrequenzen, um Ihre Systeme zu verkleinern.
  • Geringere Wärmeentwicklung: Reduzieren Sie die Notwendigkeit aufwendiger Kühlmaßnahmen.
  • Langfristige Kosteneinsparungen: Profitieren Sie von geringeren Betriebskosten und einer längeren Lebensdauer Ihrer Systeme.

Wählen Sie die IDH16G120C5 und erleben Sie den Unterschied! Sie werden begeistert sein von der Leistung und Zuverlässigkeit dieser außergewöhnlichen SiC-Schottkydiode.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zur IDH16G120C5

Wir haben die am häufigsten gestellten Fragen zur IDH16G120C5 für Sie zusammengefasst:

  1. Was ist eine SiC-Schottkydiode und worin unterscheidet sie sich von einer herkömmlichen Siliziumdiode?

    Eine SiC-Schottkydiode (Siliziumkarbid) verwendet Siliziumkarbid als Halbleitermaterial anstelle von Silizium. SiC bietet überlegene Eigenschaften wie höhere Spannungsfestigkeit, schnellere Schaltgeschwindigkeit und höhere Betriebstemperatur, was zu geringeren Schaltverlusten und höherer Effizienz führt.

  2. Für welche Anwendungen ist die IDH16G120C5 besonders gut geeignet?

    Die IDH16G120C5 eignet sich ideal für Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Wechselrichter, Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe und induktives Erwärmen, wo hohe Effizienz, schnelle Schaltgeschwindigkeit und Zuverlässigkeit gefordert sind.

  3. Kann ich die IDH16G120C5 einfach gegen eine herkömmliche Siliziumdiode austauschen?

    In vielen Fällen ist ein direkter Austausch möglich, es ist jedoch wichtig, die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung zu berücksichtigen. Die IDH16G120C5 bietet ein schnelleres Schaltverhalten, was zu Anpassungen in der Ansteuerschaltung führen kann. Es empfiehlt sich immer, die technischen Datenblätter beider Dioden zu vergleichen und gegebenenfalls Simulationen durchzuführen.

  4. Welche Kühlmaßnahmen sind für die IDH16G120C5 erforderlich?

    Die erforderlichen Kühlmaßnahmen hängen von der spezifischen Anwendung und den Betriebsbedingungen ab. Das TO220AC Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage auf einem Kühlkörper. Es ist wichtig, die Verlustleistung zu berechnen und einen geeigneten Kühlkörper auszuwählen, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten.

  5. Wo finde ich detailliertere technische Informationen und Anwendungsbeispiele zur IDH16G120C5?

    Detaillierte technische Informationen, Datenblätter und Anwendungsbeispiele finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf unserer Produktseite. Wir bieten auch technischen Support an, um Ihnen bei der Auswahl und Integration der IDH16G120C5 in Ihre Projekte zu helfen.

  6. Ist die IDH16G120C5 RoHS-konform?

    Ja, die IDH16G120C5 ist RoHS-konform und entspricht den aktuellen Umweltstandards.

  7. Wie hoch ist der maximale Sperrstrom der IDH16G120C5 bei maximaler Sperrspannung?

    Der typische Sperrstrom (IR) beträgt 5 µA bei VR = 1200 V.

Bewertungen: 4.8 / 5. 446

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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