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IDH04SG60C - SiC-Schottkydiode

IDH04SG60C – SiC-Schottkydiode, 600V, 4A, TO220AC

1,90 €

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Artikelnummer: 76054b083035 Kategorie: Schottkydioden
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  • IDH04SG60C – SiC-Schottkydiode: Die Zukunft der Leistungselektronik in Ihren Händen
    • Was macht die IDH04SG60C so besonders?
    • Die Vorteile der SiC-Technologie
    • Anwendungsbereiche der IDH04SG60C
    • Technische Daten im Überblick
    • TO220AC Gehäuse: Robust und zuverlässig
    • Warum Sie sich für die IDH04SG60C entscheiden sollten
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zur IDH04SG60C

IDH04SG60C – SiC-Schottkydiode: Die Zukunft der Leistungselektronik in Ihren Händen

In der rasant fortschreitenden Welt der Leistungselektronik sind Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit entscheidende Faktoren. Die IDH04SG60C SiC-Schottkydiode verkörpert diese Eigenschaften und bietet eine innovative Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen. Tauchen Sie mit uns ein in die faszinierende Welt dieser Diode und entdecken Sie, wie sie Ihre Projekte auf ein neues Level heben kann.

Was macht die IDH04SG60C so besonders?

Die IDH04SG60C ist eine Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode, die mit ihren herausragenden Eigenschaften herkömmliche Siliziumdioden in vielen Bereichen übertrifft. Sie kombiniert eine hohe Sperrspannung von 600V mit einem niedrigen Durchlassstrom von 4A, was sie zu einem idealen Bauelement für anspruchsvolle Anwendungen macht, in denen es auf Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Ihre TO220AC-Bauform ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Schaltungen und sorgt für eine optimale Wärmeableitung.

Aber was bedeutet das konkret für Sie?

Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem Projekt, bei dem es auf jede gesparte Energieeinheit ankommt. Mit der IDH04SG60C können Sie die Verluste in Ihren Schaltkreisen deutlich reduzieren und so die Effizienz Ihrer Anwendung steigern. Denken Sie an Solarwechselrichter, bei denen jeder Prozentpunkt Effizienzsteigerung zählt, oder an Netzteile, die immer kompakter und leistungsstärker werden müssen. Hier spielt die IDH04SG60C ihre Stärken voll aus.

Die Vorteile der SiC-Technologie

Der Schlüssel zur außergewöhnlichen Leistungsfähigkeit der IDH04SG60C liegt im verwendeten Siliziumkarbid (SiC). Im Vergleich zu Silizium bietet SiC eine Reihe von Vorteilen:

  • Höhere Sperrspannung: SiC-Dioden können höheren Spannungen standhalten, was sie robuster und zuverlässiger macht.
  • Geringere Schaltverluste: SiC ermöglicht schnellere Schaltzeiten und reduziert somit die Verluste beim Ein- und Ausschalten der Diode. Das Ergebnis ist eine höhere Effizienz des Gesamtsystems.
  • Bessere Wärmeleitfähigkeit: SiC leitet Wärme besser ab als Silizium, was eine höhere Leistungsdichte und eine einfachere Kühlung ermöglicht.
  • Geringere Leckströme: SiC-Dioden weisen deutlich geringere Leckströme auf, was zu einer weiteren Effizienzsteigerung führt.

Diese Vorteile machen die IDH04SG60C zu einer idealen Wahl für Anwendungen, in denen es auf hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und geringe Wärmeentwicklung ankommt.

Anwendungsbereiche der IDH04SG60C

Die IDH04SG60C ist ein wahrer Alleskönner und findet in einer Vielzahl von Anwendungen ihren Einsatz. Hier einige Beispiele:

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC): In PFC-Schaltungen sorgt die IDH04SG60C für eine effiziente und zuverlässige Korrektur des Leistungsfaktors, was zu einer geringeren Netzbelastung und niedrigeren Energiekosten führt.
  • Solarwechselrichter: In Solarwechselrichtern maximiert die IDH04SG60C die Energieausbeute und trägt so zu einer höheren Rentabilität von Solaranlagen bei.
  • Schaltnetzteile (SMPS): In Schaltnetzteilen ermöglicht die IDH04SG60C eine höhere Effizienz und Leistungsdichte, was zu kompakteren und leistungsstärkeren Netzteilen führt.
  • Motoransteuerungen: In Motoransteuerungen sorgt die IDH04SG60C für eine präzise und effiziente Ansteuerung von Motoren, was zu einer besseren Leistung und Energieeffizienz führt.
  • Induktionserwärmung: In Induktionserwärmungsanlagen trägt die IDH04SG60C zu einer schnellen und effizienten Erwärmung von Werkstücken bei.

Die IDH04SG60C ist somit ein unverzichtbares Bauelement für Entwickler und Ingenieure, die innovative und effiziente Lösungen in der Leistungselektronik realisieren wollen.

Technische Daten im Überblick

Für eine detaillierte Betrachtung der technischen Eigenschaften der IDH04SG60C haben wir hier eine übersichtliche Tabelle für Sie zusammengestellt:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung 600 V
Durchlassstrom 4 A
Gehäusetyp TO220AC –
Sperrverzögerungszeit (typisch) 19 ns
Vorwärtsspannung (typisch) 1.7 V
Betriebstemperatur -55 bis +175 °C

Diese Daten verdeutlichen die Leistungsfähigkeit der IDH04SG60C und geben Ihnen die notwendigen Informationen für eine erfolgreiche Integration in Ihre Schaltungen.

TO220AC Gehäuse: Robust und zuverlässig

Das TO220AC Gehäuse ist ein weit verbreitetes und bewährtes Gehäuse für Leistungshalbleiter. Es zeichnet sich durch seine Robustheit, seine gute Wärmeableitung und seine einfache Montage aus. Die IDH04SG60C im TO220AC Gehäuse lässt sich problemlos auf Kühlkörpern montieren, um eine optimale Wärmeableitung zu gewährleisten und die Lebensdauer der Diode zu verlängern. Die drei Anschlussbeine ermöglichen eine einfache Integration in bestehende Schaltungen.

Warum Sie sich für die IDH04SG60C entscheiden sollten

Die IDH04SG60C ist mehr als nur eine Diode – sie ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Sie bietet:

  • Höchste Effizienz: Reduzieren Sie Ihre Verluste und sparen Sie Energie.
  • Maximale Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf eine robuste und langlebige Diode.
  • Einfache Integration: Profitieren Sie von einer einfachen Montage und Kompatibilität mit bestehenden Schaltungen.
  • Zukunftssichere Technologie: Setzen Sie auf die innovative SiC-Technologie und bleiben Sie der Konkurrenz einen Schritt voraus.

Mit der IDH04SG60C setzen Sie auf eine bewährte Technologie, die Ihre Projekte effizienter, zuverlässiger und zukunftssicher macht. Warten Sie nicht länger und entdecken Sie das Potenzial dieser Diode für Ihre Anwendungen!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zur IDH04SG60C

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zur IDH04SG60C SiC-Schottkydiode:

Was ist eine SiC-Schottkydiode?
Eine SiC-Schottkydiode ist eine Diode, die auf Siliziumkarbid (SiC) basiert und einen Schottky-Kontakt verwendet. Dies führt zu geringeren Schaltverlusten und einer höheren Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden.
Welche vorteile bietet das TO220AC Gehäuse?
Das TO220AC Gehäuse ist ein beliebtes Gehäuse für Leistungshalbleiter, da es eine gute Wärmeableitung ermöglicht und einfach zu montieren ist. Es bietet zudem eine robuste Bauform.
Wie hoch ist die maximale betriebstemperatur der IDH04SG60C?
Die maximale Betriebstemperatur der IDH04SG60C beträgt +175 °C.
Kann ich die IDH04SG60C in einem Solarladeregler verwenden?
Ja, die IDH04SG60C eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solarladereglern, da sie die Effizienz des Ladereglers verbessert und die Wärmeentwicklung reduziert.
Was bedeutet die angabe „600V“ bei der Diode?
Die Angabe „600V“ bezieht sich auf die maximale Sperrspannung, die die Diode aushalten kann, ohne zu beschädigen. Es ist wichtig, diese Spannung nicht zu überschreiten.
Wo finde ich ein Datenblatt zur IDH04SG60C?
Datenblätter sind meistens auf der Webseite des Herstellers oder auf den Seiten von Distributoren verfügbar.
Ist die IDH04SG60C RoHS-konform?
Die Information zur RoHS-Konformität finden Sie im Datenblatt des Herstellers.

Bewertungen: 4.8 / 5. 480

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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