Der DG120X07T2 IGBT-Transistor: Leistung, die begeistert!
In der Welt der Leistungselektronik sind zuverlässige und effiziente Transistoren das Herzstück jeder Anwendung. Der DG120X07T2 IGBT-Transistor ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Performance und Stabilität Ihrer Projekte. Dieser N-Kanal IGBT-Transistor vereint robuste Bauweise mit beeindruckenden Leistungswerten und setzt neue Maßstäbe in Sachen Effizienz und Zuverlässigkeit.
Technische Highlights und Vorteile des DG120X07T2
Der DG120X07T2 wurde entwickelt, um selbst anspruchsvollste Anforderungen zu erfüllen. Hier sind einige der wichtigsten technischen Merkmale, die diesen Transistor auszeichnen:
- Sperrspannung (VCES): 650 V – Bietet ausreichend Spielraum für Anwendungen mit höheren Spannungen und schützt vor Überspannungen.
- Kollektorstrom (IC): 240 A – Ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Schaltungen, die hohe Ströme benötigen.
- Verlustleistung (Ptot): 1250 W – Zeigt die Fähigkeit, große Mengen an Wärme abzuführen, was die Lebensdauer und Zuverlässigkeit erhöht.
- Gehäuse: TO-247 Plus – Das robuste Gehäuse sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und einfache Montage.
- N-Kanal IGBT: Bietet eine ideale Kombination aus Bipolar- und MOSFET-Technologie für optimale Schaltgeschwindigkeit und niedrige Durchlassverluste.
Anwendungsbereiche des DG120X07T2
Der DG120X07T2 ist ein vielseitiger Transistor, der in einer breiten Palette von Anwendungen eingesetzt werden kann. Hier sind einige Beispiele:
- Frequenzumrichter: In industriellen Antrieben und erneuerbaren Energiesystemen sorgt der DG120X07T2 für eine effiziente Umwandlung von elektrischer Energie.
- Schweißgeräte: Seine hohe Strombelastbarkeit und schnelle Schaltgeschwindigkeit machen ihn ideal für moderne Schweißgeräte.
- Induktionserwärmung: In industriellen Prozessen, die präzise und schnelle Erwärmung erfordern, ist der DG120X07T2 die perfekte Wahl.
- USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Bietet zuverlässige Leistung und Schutz vor Stromausfällen in kritischen Anwendungen.
- Elektrofahrzeuge: In den Antriebssystemen von Elektrofahrzeugen trägt der DG120X07T2 zur Effizienz und Reichweite bei.
Warum Sie sich für den DG120X07T2 entscheiden sollten
Die Entscheidung für den DG120X07T2 ist eine Entscheidung für Qualität, Zuverlässigkeit und Performance. Dieser Transistor bietet Ihnen:
- Höchste Effizienz: Minimiert Energieverluste und senkt Betriebskosten.
- Maximale Zuverlässigkeit: Entwickelt für den langfristigen Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen.
- Einfache Integration: Das TO-247 Plus Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Wärmeableitung.
- Vielseitige Anwendbarkeit: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Der DG120X07T2 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für eine bessere Zukunft der Leistungselektronik. Investieren Sie in Ihre Projekte und erleben Sie den Unterschied!
Detaillierte Technische Daten
Um Ihnen einen noch besseren Überblick über die Leistungsfähigkeit des DG120X07T2 zu geben, finden Sie hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (VCES) | 650 | V |
| Kollektorstrom (IC) | 240 | A |
| Puls-Kollektorstrom (ICM) | 480 | A |
| Gate-Emitter-Spannung (VGE) | ±20 | V |
| Verlustleistung (Ptot) | 1250 | W |
| Gate-Ladung (Qg) | 120 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (td(on)) | 15 | ns |
| Anstiegszeit (tr) | 18 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) | 75 | ns |
| Fallzeit (tf) | 12 | ns |
| Betriebstemperatur (Tj) | -55 bis +175 | °C |
| Gehäuse | TO-247 Plus |
Diese Daten verdeutlichen die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit des DG120X07T2. Egal, ob Sie einen zuverlässigen Transistor für industrielle Anwendungen, erneuerbare Energien oder Elektrofahrzeuge suchen, der DG120X07T2 wird Ihre Erwartungen übertreffen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum DG120X07T2
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum DG120X07T2 IGBT-Transistor.
1. Was bedeutet die Bezeichnung „IGBT“?
IGBT steht für Insulated Gate Bipolar Transistor. Es ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften von Bipolar-Transistoren (hohe Strombelastbarkeit) und MOSFETs (einfache Ansteuerung) vereint.
2. Für welche Anwendungen ist der DG120X07T2 besonders gut geeignet?
Der DG120X07T2 eignet sich hervorragend für Frequenzumrichter, Schweißgeräte, Induktionserwärmung, USV-Anlagen und Elektrofahrzeuge.
3. Was bedeutet die Angabe „TO-247 Plus“?
TO-247 Plus ist ein Gehäusetyp für Leistungshalbleiter. Es bietet eine gute Wärmeableitung und ist einfach zu montieren. Die „Plus“-Variante verbessert die Wärmeableitung gegenüber dem Standard TO-247 Gehäuse.
4. Wie muss ich den DG120X07T2 kühlen?
Aufgrund seiner hohen Verlustleistung ist eine effektive Kühlung erforderlich. Dies kann durch Verwendung eines Kühlkörpers oder durch aktive Kühlung mit einem Lüfter erreicht werden. Die Wahl der Kühlmethode hängt von der spezifischen Anwendung und den Umgebungsbedingungen ab.
5. Was passiert, wenn die maximale Sperrspannung überschritten wird?
Eine Überschreitung der maximalen Sperrspannung kann zur Zerstörung des Transistors führen. Es ist wichtig, die Spannung innerhalb der spezifizierten Grenzen zu halten.
6. Was ist der Unterschied zwischen Kollektorstrom (IC) und Puls-Kollektorstrom (ICM)?
Der Kollektorstrom (IC) ist der maximal zulässige Dauerstrom, während der Puls-Kollektorstrom (ICM) der maximal zulässige Strom für kurze Pulse ist. Der Puls-Kollektorstrom darf den Dauerstrom nicht überschreiten und die Impulsdauer muss innerhalb der Spezifikationen liegen.
7. Kann ich den DG120X07T2 auch in anderen Anwendungen als den genannten einsetzen?
Ja, der DG120X07T2 ist vielseitig einsetzbar. Solange die technischen Daten und Anforderungen Ihrer Anwendung mit den Spezifikationen des Transistors übereinstimmen, kann er auch in anderen Bereichen eingesetzt werden.
