CY62128ELL-45ZXI – Hochleistungsspeicher für anspruchsvolle Elektronikprojekte
Sie suchen nach einem zuverlässigen und schnellen SRAM-Speicherbaustein für Ihre komplexen Elektronikdesigns, sei es in der Industrieautomation, in Embedded-Systemen oder in spezialisierten Kommunikationsgeräten? Der CY62128ELL-45ZXI bietet exakt diese Performance. Mit seiner Speicherkapazität von 1 Megabit, organisiert als 128 Kilo-Bytes x 8 Bits, und einer bemerkenswerten Zugriffszeit von nur 45 Nanosekunden, eignet er sich ideal für Anwendungen, die höchste Geschwindigkeiten und geringen Stromverbrauch erfordern, ohne Kompromisse bei der Datenintegrität einzugehen.
Überlegene Leistung und Zuverlässigkeit des CY62128ELL-45ZXI
Im Gegensatz zu herkömmlichen oder älteren Speichertechnologien bietet der CY62128ELL-45ZXI entscheidende Vorteile, die ihn zur optimalen Wahl für moderne und zukunftssichere Designs machen. Die geringe Betriebsspannung von 5 Volt minimiert den Energieverbrauch, ein kritischer Faktor in batteriebetriebenen Geräten und energieeffizienten Systemen. Die 45ns Zugriffszeit gewährleistet, dass Daten blitzschnell gelesen und geschrieben werden können, was Engpässe in Hochgeschwindigkeitsanwendungen vermeidet und die Gesamtsystemleistung signifikant steigert. Die robuste TSOP-32 Gehäusetechnologie sorgt zudem für eine zuverlässige und langlebige Integration in Ihre Leiterplatten.
Detaillierte Spezifikationen und technische Vorteile
Der CY62128ELL-45ZXI ist ein statischer Zufallsspeicher (SRAM) mit einer Kapazität von 1 Megabit (Mb), der für seine Geschwindigkeit und Effizienz bekannt ist. Die Organisation in 128 Kilo-Bytes (K) x 8 Bits macht ihn zu einer vielseitigen Komponente für eine breite Palette von Mikrocontroller-basierten Systemen und digitalen Schaltungen, bei denen schnelles Datenhandling unerlässlich ist. Die garantierte Zugriffszeit von 45 Nanosekunden (ns) ist ein entscheidendes Merkmal für Echtzeitanwendungen und Hochfrequenzsignalverarbeitung, wo jede Nanosekunde zählt.
- Schnelle Zugriffszeit: 45ns ermöglichen höchste Systemleistung und Echtzeitfähigkeit.
- Geringer Stromverbrauch: 5V Betriebsspannung optimiert die Energieeffizienz.
- Hohe Speicherdichte: 1 Mb Kapazität bietet ausreichend Platz für kritische Daten.
- Standardisierte Schnittstelle: TSOP-32 Gehäuse für einfache Board-Integration.
- Stabilität und Zuverlässigkeit: SRAM-Architektur gewährleistet schnelle und verlustfreie Datenspeicherung.
Anwendungsbereiche und Einsatzmöglichkeiten
Die herausragenden Eigenschaften des CY62128ELL-45ZXI machen ihn zu einer bevorzugten Wahl für eine Vielzahl von anspruchsvollen Applikationen. In der industriellen Automatisierung wird er eingesetzt, um Prozessdaten und Steuerungsparameter mit höchster Geschwindigkeit zu puffern. In der Telekommunikation dient er als schneller Cache-Speicher für Netzwerkgeräte, um Datenpakete effizient zu verarbeiten. Embedded-Systeme in der Medizintechnik oder in der Automobilindustrie profitieren von seiner Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit für kritische Steuerungsfunktionen. Auch in der Datenprotokollierung und bei der Entwicklung von Test- und Messgeräten spielt dieser SRAM seine Stärken aus, wo die schnelle Erfassung und Verarbeitung von Messwerten entscheidend ist.
Technische Merkmale und Konstruktionsvorteile
Der CY62128ELL-45ZXI zeichnet sich durch eine fortschrittliche CMOS-Technologie aus, die nicht nur die hohe Geschwindigkeit, sondern auch den geringen Stromverbrauch ermöglicht. Die „Low Power“ Eigenschaft ist ein integraler Bestandteil des Designs und reduziert die Wärmeentwicklung, was wiederum die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bausteins erhöht und eine passive Kühlung in vielen Anwendungen ermöglicht. Die vollständig statische Natur des Speichers bedeutet, dass keine externen Taktgeber für die Datenhaltung erforderlich sind, was die Systemkomplexität reduziert und die Leistungsaufnahme weiter senkt, sobald keine Lese- oder Schreiboperationen stattfinden. Die breite Kompatibilität mit gängigen Mikroprozessoren und FPGAs durch standardisierte Logikpegel und Timing macht die Integration in bestehende oder neue Designs unkompliziert.
Produktinformationen im Detail
| Eigenschaft | Beschreibung |
|---|---|
| Speichertyp | SRAM (Static Random-Access Memory) |
| Kapazität | 1 Megabit (Mb) |
| Speicherorganisation | 128 Kilo-Bytes (K) x 8 Bits |
| Zugriffszeit | 45 Nanosekunden (ns) |
| Betriebsspannung | 5 Volt (V) |
| Gehäuse | TSOP-32 (Thin Small Outline Package) |
| Technologie | CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) |
| Leistungsaufnahme | Optimiert für geringen Energieverbrauch, insbesondere im Standby-Modus |
| Temperaturbereich | Industrieller Temperaturbereich, für zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Umgebungsbedingungen |
| Datenhaltefähigkeit | Hohe Integrität und Zuverlässigkeit für kritische Daten |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu CY62128ELL-45ZXI – SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
Was ist der Hauptvorteil des CY62128ELL-45ZXI gegenüber anderen Speicherlösungen?
Der Hauptvorteil des CY62128ELL-45ZXI liegt in der Kombination aus einer sehr schnellen Zugriffszeit von 45ns und einem niedrigen Stromverbrauch bei einer Betriebsspannung von 5V. Dies macht ihn ideal für Hochleistungsanwendungen, bei denen Energieeffizienz ebenfalls eine Rolle spielt.
Für welche Arten von Projekten ist dieser SRAM-Baustein am besten geeignet?
Dieser SRAM ist hervorragend geeignet für Embedded-Systeme, industrielle Steuerungen, Telekommunikationshardware, Medizintechnik, Automobilanwendungen und alle anderen Projekte, die schnelle Datenpufferung, Cache-Speicher oder schnelle temporäre Datenspeicherung erfordern und bei denen eine 5V-Betriebsspannung und die TSOP-32 Gehäusetype passend sind.
Ist die 45ns Zugriffszeit für alle Anwendungen ausreichend?
Ja, eine Zugriffszeit von 45ns ist für die überwiegende Mehrheit moderner Mikrocontroller-basierter Systeme und viele Hochfrequenzanwendungen mehr als ausreichend. Sie ermöglicht eine sehr effiziente Datenverarbeitung und minimiert Systemverzögerungen.
Wie beeinflusst die 5V Betriebsspannung die Leistung und Integration?
Die 5V Betriebsspannung ist ein etablierter Standard, der eine einfache Integration mit vielen Mikrocontrollern und Logikfamilien ermöglicht. Gleichzeitig trägt sie zur Energieeffizienz bei und reduziert die Wärmeentwicklung, was die Systemzuverlässigkeit verbessert.
Welche Art von Daten kann zuverlässig mit diesem SRAM gespeichert werden?
Der CY62128ELL-45ZXI ist ein SRAM und eignet sich hervorragend zur Speicherung von flüchtigen Daten, die während des Betriebs des Systems schnell gelesen und geschrieben werden müssen. Dies umfasst Programmcode, Datenpuffer, Zwischenergebnisse von Berechnungen und Echtzeitdaten. Nach dem Abschalten der Stromversorgung gehen die gespeicherten Daten verloren.
Was bedeutet die Organisation 128K x 8 Bit genau?
Dies bedeutet, dass der Speicher aus 128.000 Adresszeilen besteht, und jede Adresszeile kann 8 Bits an Daten speichern. Dies entspricht insgesamt 128 Kilobytes (KB) Speicherplatz.
Ist der CY62128ELL-45ZXI ein direkter Ersatz für andere SRAM-Bausteine?
Ob er ein direkter Ersatz ist, hängt von den spezifischen Pinbelegungen, der elektrischen Charakteristik und den Leistungsanforderungen des Zielsystems ab. Aufgrund des TSOP-32 Gehäuses und der 5V Betriebsspannung sowie der Kapazität und Geschwindigkeit ist er ein guter Kandidat für viele Upgrades oder Designs, die ähnliche Spezifikationen benötigen. Es ist jedoch immer ratsam, das Datenblatt des zu ersetzenden Bausteins mit dem des CY62128ELL-45ZXI zu vergleichen.
