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CY62128ELL-45SX - SRAM

CY62128ELL-45SX – SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32

2,92 €

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Artikelnummer: dcba205c106e Kategorie: SRAMs
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Beschreibung

Inhalt

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  • CY62128ELL-45SX: Hochleistungs-SRAM für anspruchsvolle Embedded-Systeme
  • Optimierte Leistung für kritische Anwendungen
  • Unerreichte Zuverlässigkeit und Effizienz
  • Umfassende Spezifikationen und Vorteile
  • Technische Daten und Qualitätsmerkmale
  • Anwendungsbereiche im Detail
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu CY62128ELL-45SX – SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32
    • Ist dieser SRAM mit meinem 3.3V System kompatibel?
    • Wie unterscheidet sich dieser SRAM von einem Flash-Speicher?
    • Ist der CY62128ELL-45SX für Anwendungen mit hoher Datenrate geeignet?
    • Was bedeutet die Kennzeichnung SOP-32?
    • Welche Art von Stromversorgung wird für den CY62128ELL-45SX benötigt?
    • Wie wird die Lebensdauer dieses SRAMs eingeschätzt?
    • Kann der CY62128ELL-45SX als Ersatz für ältere SRAM-Modelle verwendet werden?

CY62128ELL-45SX: Hochleistungs-SRAM für anspruchsvolle Embedded-Systeme

Der CY62128ELL-45SX ist die ideale Lösung für Entwickler und Ingenieure, die eine schnelle und zuverlässige nichtflüchtige Speicherkomponente für ihre embedded Systeme benötigen. Wenn Ihre Anwendung eine hohe Zugriffsgeschwindigkeit, geringen Stromverbrauch und bewährte Zuverlässigkeit erfordert, um Datenintegrität und Systemperformance zu gewährleisten, dann ist dieser 1-Megabit SRAM die überlegene Wahl gegenüber langsameren oder weniger effizienten Speicherlösungen.

Optimierte Leistung für kritische Anwendungen

In der Welt der Elektronik und IT sind Geschwindigkeit und Effizienz entscheidend. Der CY62128ELL-45SX wurde entwickelt, um diesen Anforderungen gerecht zu werden und übertrifft Standardlösungen durch seine außergewöhnlichen Leistungsmerkmale. Mit einer Zugriffszeit von nur 45 Nanosekunden ermöglicht er eine blitzschnelle Datenverarbeitung, was für zeitkritische Anwendungen unerlässlich ist. Die 1-Megabit Kapazität, organisiert als 128 K x 8 Bits, bietet eine substanzielle Speichermenge für eine Vielzahl von Daten und Programmdaten. Dies macht ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Applikationen, bei denen jede Millisekunde zählt und die Notwendigkeit besteht, Daten schnell zu lesen und zu schreiben.

Unerreichte Zuverlässigkeit und Effizienz

Die Wahl eines Speicherbausteins kann die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit eines Systems maßgeblich beeinflussen. Der CY62128ELL-45SX zeichnet sich durch seine 5V Betriebsspannung aus, die eine breite Kompatibilität mit vielen gängigen Mikrocontroller- und Prozessorsystemen sicherstellt. Im Vergleich zu dynamischen RAMs (DRAMs) oder Flash-Speichern bietet statischer RAM (SRAM) inhärent schnellere Zugriffszeiten und einen einfacheren Speicherzugriffsmechanismus, da keine komplexen Auffrischzyklen erforderlich sind. Dies führt zu einer konsistenteren Performance und reduziert den Entwicklungsaufwand. Die spezielle „ELL“-Kennzeichnung deutet auf eine optimierte Leistungsreihe hin, die auf Energieeffizienz und hohe Geschwindigkeit ausgelegt ist, was ihn zu einer überlegenen Wahl für batteriebetriebene Geräte oder energiebewusste Designs macht.

Umfassende Spezifikationen und Vorteile

Der CY62128ELL-45SX ist mehr als nur ein Speicherbaustein; er ist eine Komponente, die darauf ausgelegt ist, die Effizienz und Leistung Ihrer elektronischen Designs zu maximieren. Seine Architektur und Technologie bieten eine Reihe von Vorteilen, die ihn von der Konkurrenz abheben:

  • Hohe Geschwindigkeit: Mit 45ns Zugriffszeit ist er ideal für Echtzeit-Anwendungen.
  • Große Speicherkapazität: 1 Megabit (128 K x 8) bietet ausreichend Platz für komplexe Datenmengen.
  • Standardisierte Schnittstelle: Die SOP-32 Gehäuseform ist weit verbreitet und erleichtert die Integration in bestehende PCBs.
  • Robustheit und Zuverlässigkeit: SRAM-Technologie gewährleistet stabile Leistung über die Lebensdauer des Geräts.
  • Energieeffizienz: Optimiert für geringen Stromverbrauch im Betrieb und Standby.
  • Einfache Implementierung: Keine komplexen Refresh-Zyklen wie bei DRAMs, was die Entwicklungszeit verkürzt.
  • Datenintegrität: Zuverlässige Speicherung kritischer Daten ohne das Risiko von Datenkorruption durch Refresh-Fehler.

Technische Daten und Qualitätsmerkmale

Die herausragenden Eigenschaften des CY62128ELL-45SX werden durch seine präzise gefertigten Spezifikationen unterstrichen. Diese Tabelle gibt einen detaillierten Überblick über die Kernmerkmale:

Merkmal Spezifikation
Hersteller Cypress Semiconductor (jetzt Infineon Technologies)
Speichergröße 1 Mb (128 K x 8 Bit)
Technologie CMOS Static RAM (SRAM)
Zugriffszeit 45 ns
Betriebsspannung 5 V ± 10%
Gehäuseform SOP-32 (Small Outline Package, 32 Pins)
Stromverbrauch (typisch aktiv) Niedrig (spezifische Werte variieren je nach Taktfrequenz und Aktivitätsgrad, aber typisch für 5V SRAMs im Bereich von ca. 30-50mA)
Stromverbrauch (Standby) Sehr gering (oft im Mikroampere-Bereich)
Temperaturbereich Industriell (typischerweise -40°C bis +85°C)
Anwendungen Embedded Systeme, Datenpuffer, Cache-Speicher, Steuerungseinheiten, Telekommunikation, Automobil-Elektronik

Anwendungsbereiche im Detail

Der CY62128ELL-45SX ist aufgrund seiner Kombination aus Geschwindigkeit, Kapazität und Zuverlässigkeit ein vielseitiger Baustein für eine breite Palette von elektronischen Anwendungen. In Embedded-Systemen dient er häufig als Hauptspeicher für Programme und Daten, wo schnelle Ladezeiten und unmittelbare Verfügbarkeit von Informationen entscheidend sind. Dies reicht von industriellen Steuerungen und Medizintechnik bis hin zu Consumer-Elektronikgeräten. Als Datenpuffer in Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, wie z.B. Netzwerkgeräten oder Telekommunikationsinfrastruktur, ermöglicht er die effiziente Verarbeitung von Datenströmen, indem er kurzfristig große Mengen an empfangenen oder zu sendenden Daten zwischenspeichert. In Geräten mit begrenzten Ressourcen, wo eine hohe Rechenleistung benötigt wird, kann er als Teil einer Cache-Hierarchie fungieren, um den Zugriff auf häufig benötigte Daten zu beschleunigen und die Leistung des Hauptprozessors zu verbessern.

Darüber hinaus findet der CY62128ELL-45SX Anwendung in der Automobil-Elektronik, wo robuste Speicherlösungen für Infotainment-Systeme, Motorsteuergeräte oder Fahrerassistenzsysteme benötigt werden, die zuverlässig unter variierenden Temperaturbedingungen arbeiten müssen. Auch in Forschung und Entwicklung spielt er eine wichtige Rolle, wenn Prototypen und Testaufbauten schnelle und flexible Speicherlösungen erfordern, um komplexe Algorithmen zu implementieren und zu testen.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu CY62128ELL-45SX – SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32

Ist dieser SRAM mit meinem 3.3V System kompatibel?

Der CY62128ELL-45SX ist für eine Betriebsspannung von 5V ausgelegt. Für die Integration in ein 3.3V System sind entsprechende Pegelwandler oder Level-Shifter notwendig, um eine sichere und zuverlässige Funktion zu gewährleisten. Bitte beachten Sie die Datenblätter für detaillierte elektrische Charakteristiken.

Wie unterscheidet sich dieser SRAM von einem Flash-Speicher?

Der Hauptunterschied liegt in der Funktionalität und Geschwindigkeit. SRAM ist nichtflüchtig, was bedeutet, dass er Daten beibehält, solange Strom anliegt, aber die Daten gehen nach dem Abschalten verloren. Er bietet extrem schnelle Lese- und Schreibzugriffe ohne Refresh-Zyklen. Flash-Speicher ist nichtflüchtig und behält Daten auch ohne Strom, ist aber langsamer beim Schreiben und Löschen und hat eine begrenzte Anzahl von Schreib-/Löschzyklen.

Ist der CY62128ELL-45SX für Anwendungen mit hoher Datenrate geeignet?

Ja, mit einer Zugriffszeit von 45ns ist er für viele Hochgeschwindigkeitsanwendungen gut geeignet, insbesondere wenn es um schnelle Datenpufferung oder Caching geht. Für extrem hohe Datenraten, die deutlich schneller als 45ns sind, könnten spezialisiertere Lösungen notwendig sein.

Was bedeutet die Kennzeichnung SOP-32?

SOP-32 steht für „Small Outline Package“ mit 32 Pins. Dies ist ein gängiges Oberflächenmontagegehäuse, das für viele elektronische Bauteile verwendet wird und eine einfache Bestückung auf Leiterplatten ermöglicht.

Welche Art von Stromversorgung wird für den CY62128ELL-45SX benötigt?

Der Baustein benötigt eine stabile Gleichspannungsversorgung von 5 Volt mit einer zulässigen Toleranz, die im Datenblatt spezifiziert ist. Es ist wichtig, eine saubere und rauscharme Stromversorgung zu verwenden, um die beste Leistung und Zuverlässigkeit zu erzielen.

Wie wird die Lebensdauer dieses SRAMs eingeschätzt?

SRAMs sind für ihre hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit bekannt, solange sie innerhalb ihrer Spezifikationen betrieben werden. Im Gegensatz zu Flash-Speichern gibt es keine begrenzte Anzahl von Schreib-/Löschzyklen. Die Lebensdauer wird primär durch die Einhaltung der Betriebsspannung, Temperatur und die allgemeine Qualität des Fertigungsprozesses bestimmt. Für typische Anwendungen ist die Lebensdauer sehr hoch.

Kann der CY62128ELL-45SX als Ersatz für ältere SRAM-Modelle verwendet werden?

Ob der CY62128ELL-45SX als direkter Ersatz für ein älteres Modell dienen kann, hängt von den spezifischen Pinbelegungen, elektrischen Eigenschaften und den funktionalen Anforderungen der ursprünglichen Anwendung ab. Es ist immer ratsam, die Datenblätter beider Bauteile sorgfältig zu vergleichen, um Kompatibilität sicherzustellen.

Bewertungen: 4.6 / 5. 385

Zusätzliche Informationen
Marke

Cypress

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