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C4D08120A - SiC-Schottkydiode

C4D08120A – SiC-Schottkydiode, 1200V, 12A, TO220AC

7,80 €

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Artikelnummer: 9d1abb208609 Kategorie: Schottkydioden
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Beschreibung

Inhalt

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  • Entfesseln Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit der C4D08120A SiC-Schottkydiode
    • Die Magie von Siliziumkarbid (SiC)
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Technische Daten im Überblick
    • Warum die C4D08120A Ihre erste Wahl sein sollte
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen
    • Ihre Reise in die Zukunft der Leistungselektronik beginnt hier

Entfesseln Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit der C4D08120A SiC-Schottkydiode

In der Welt der Leistungselektronik, wo Effizienz, Zuverlässigkeit und Performance an erster Stelle stehen, präsentiert sich die C4D08120A SiC-Schottkydiode als ein wahrer Gamechanger. Dieses außergewöhnliche Bauelement, verpackt im robusten TO220AC-Gehäuse, eröffnet Ihnen eine neue Dimension der Leistungsfähigkeit in Ihren Schaltungen. Mit einer Sperrspannung von 1200V und einem Durchlassstrom von 12A ist diese Diode nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für innovative und zukunftsweisende Lösungen.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hochmodernes Netzteil für Elektrofahrzeuge oder ein energieeffizientes Solarinvertersystem. Die C4D08120A ist Ihr Schlüssel zu einer unübertroffenen Performance. Vergessen Sie die Kompromisse zwischen Geschwindigkeit und Robustheit – diese SiC-Schottkydiode vereint beides in Perfektion.

Die Magie von Siliziumkarbid (SiC)

Was macht die C4D08120A so besonders? Das Geheimnis liegt im verwendeten Material: Siliziumkarbid (SiC). Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden bietet SiC eine Vielzahl von Vorteilen, die Ihre Schaltungen auf ein neues Level heben:

  • Höhere Sperrspannung: 1200V ermöglichen den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Spannungen.
  • Geringere Schaltverluste: Dank der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des geringen Sperrverzögerungsstroms minimieren Sie die Verluste und steigern die Effizienz Ihrer Schaltung.
  • Höhere Betriebstemperatur: SiC-Bauelemente können bei höheren Temperaturen betrieben werden, was zu einer besseren Wärmeableitung und einer längeren Lebensdauer führt.
  • Bessere thermische Leitfähigkeit: Die Wärme wird effizienter abgeleitet, was die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bauelements erhöht.
  • Geringere Abhängigkeit von der Temperatur: Die Performance der Diode bleibt auch bei Temperaturschwankungen stabil und zuverlässig.

Diese Vorteile führen zu einer deutlichen Verbesserung der Gesamteffizienz Ihrer Schaltungen und ermöglichen die Entwicklung kompakterer und leistungsstärkerer Systeme.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die C4D08120A ist ein wahres Multitalent und findet in einer Vielzahl von Anwendungen ihren Einsatz. Hier sind einige Beispiele, die Ihre Kreativität beflügeln werden:

  • Leistungsschalter: Optimieren Sie die Performance Ihrer Leistungsschalter und profitieren Sie von der hohen Schaltgeschwindigkeit und den geringen Verlusten.
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC): Steigern Sie die Effizienz Ihrer PFC-Schaltungen und reduzieren Sie die harmonischen Verzerrungen.
  • Wechselrichter: Entwickeln Sie hoch effiziente Wechselrichter für Solaranlagen, Windkraftanlagen oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
  • Motorantriebe: Verbessern Sie die Performance und Effizienz von Motorantrieben in Elektrofahrzeugen, Industrieanwendungen oder Haushaltsgeräten.
  • Ladegeräte: Konzipieren Sie kompakte und leistungsstarke Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, mobile Geräte oder Batteriespeichersysteme.

Die C4D08120A ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Katalysator für Innovationen in den Bereichen erneuerbare Energien, Elektromobilität und industrielle Automatisierung.

Technische Daten im Überblick

Um Ihnen einen detaillierten Überblick über die technischen Eigenschaften der C4D08120A zu geben, haben wir die wichtigsten Daten in der folgenden Tabelle zusammengefasst:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (VRRM) 1200 V
Durchlassstrom (IF) 12 A
Vorwärtsspannung (VF) 1.7 V
Sperrverzögerungsladung (Qc) 25 nC
Betriebstemperatur (Tj) -55 bis +175 °C
Gehäuse TO220AC –

Diese Daten sprechen für sich: Die C4D08120A ist ein leistungsstarkes und zuverlässiges Bauelement, das höchsten Ansprüchen genügt.

Warum die C4D08120A Ihre erste Wahl sein sollte

In einer Welt, die sich immer schneller dreht und in der Innovationen im Minutentakt entstehen, ist es entscheidend, auf Bauelemente zu setzen, die nicht nur den aktuellen Anforderungen entsprechen, sondern auch für die Zukunft gerüstet sind. Die C4D08120A SiC-Schottkydiode ist genau das: Eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte.

  • Steigerung der Effizienz: Reduzieren Sie die Verluste in Ihren Schaltungen und optimieren Sie den Energieverbrauch.
  • Erhöhung der Zuverlässigkeit: Profitieren Sie von der hohen Betriebstemperatur und der robusten Bauweise.
  • Verkleinerung der Baugröße: Entwickeln Sie kompaktere und leichtere Systeme.
  • Senkung der Kosten: Sparen Sie langfristig Kosten durch geringere Verluste und eine längere Lebensdauer.
  • Förderung der Innovation: Erschließen Sie neue Möglichkeiten und entwickeln Sie zukunftsweisende Lösungen.

Mit der C4D08120A entscheiden Sie sich für ein Bauelement, das Ihre Erwartungen übertrifft und Ihnen einen entscheidenden Wettbewerbsvorteil verschafft.

FAQ – Häufig gestellte Fragen

Wir möchten Ihnen alle Informationen zur Verfügung stellen, die Sie für eine fundierte Entscheidung benötigen. Hier finden Sie Antworten auf einige häufig gestellte Fragen zur C4D08120A SiC-Schottkydiode:

  1. Was bedeutet SiC?

    SiC steht für Siliziumkarbid, ein Halbleitermaterial, das im Vergleich zu Silizium höhere Sperrspannungen, geringere Schaltverluste und höhere Betriebstemperaturen ermöglicht.

  2. Für welche Anwendungen ist die C4D08120A besonders geeignet?

    Die C4D08120A eignet sich ideal für Leistungsschalter, Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Wechselrichter, Motorantriebe und Ladegeräte.

  3. Welche Vorteile bietet das TO220AC-Gehäuse?

    Das TO220AC-Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und ist einfach zu montieren.

  4. Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur der C4D08120A?

    Die maximale Betriebstemperatur (Tj) beträgt +175 °C.

  5. Kann ich die C4D08120A parallel schalten?

    Ja, die C4D08120A kann parallel geschaltet werden, um den Durchlassstrom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, auf eine gleichmäßige Stromverteilung zu achten.

  6. Wie schütze ich die Diode vor Überspannungen?

    Verwenden Sie geeignete Schutzschaltungen wie Varistoren oder TVS-Dioden, um die Diode vor Überspannungen zu schützen.

  7. Wo finde ich das Datenblatt der C4D08120A?

    Das Datenblatt der C4D08120A finden Sie auf der Herstellerseite oder in unserem Downloadbereich.

Haben Sie weitere Fragen? Zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren. Unser Team steht Ihnen gerne mit Rat und Tat zur Seite.

Ihre Reise in die Zukunft der Leistungselektronik beginnt hier

Die C4D08120A SiC-Schottkydiode ist mehr als nur ein Bauelement – sie ist ein Versprechen für eine effizientere, zuverlässigere und leistungsstärkere Zukunft. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied!

Bewertungen: 4.6 / 5. 441

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