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BUT 12AF ISC - HF-Bipolartransistor

BUT 12AF ISC – HF-Bipolartransistor, NPN, 450V, 8A, 23W, SOT-186

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Artikelnummer: 30f8cbd6bd8b Kategorie: HF-Transistoren
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Beschreibung

Inhalt

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  • BUT 12AF ISC – Der Schlüssel zu zuverlässiger Leistung in Ihren Elektronikprojekten
  • Technische Brillanz im Detail: Die Spezifikationen des BUT 12AF ISC
    • Wichtige Eckdaten auf einen Blick:
    • Detaillierte technische Daten:
  • Anwendungsbereiche: Wo der BUT 12AF ISC seine Stärken ausspielt
    • Beispiele für typische Anwendungen:
  • Das SOT-186 Gehäuse: Kompaktes Design für maximale Performance
    • Vorteile des SOT-186 Gehäuses:
  • Warum der BUT 12AF ISC die richtige Wahl für Sie ist
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BUT 12AF ISC
    • 1. Welche Kühlmaßnahmen sind bei maximaler Verlustleistung zu empfehlen?
    • 2. Kann der BUT 12AF ISC parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen?
    • 3. Welche ESD-Schutzmaßnahmen sind beim Umgang mit dem BUT 12AF ISC zu beachten?
    • 4. Wie hoch ist die typische Schaltgeschwindigkeit des BUT 12AF ISC?
    • 5. Gibt es alternative Transistoren, die als Ersatz für den BUT 12AF ISC verwendet werden können?
    • 6. Wo finde ich detailliertere technische Datenblätter und Applikationshinweise?
    • 7. Ist der BUT 12AF ISC RoHS-konform?

BUT 12AF ISC – Der Schlüssel zu zuverlässiger Leistung in Ihren Elektronikprojekten

Entdecken Sie den BUT 12AF ISC, einen robusten und leistungsstarken HF-Bipolartransistor, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser NPN-Transistor bietet eine beeindruckende Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, beachtlicher Strombelastbarkeit und zuverlässiger Performance. Erleben Sie die Freiheit, Ihre elektronischen Schaltungen mit einem Bauteil zu realisieren, das Ihre Erwartungen nicht nur erfüllt, sondern übertrifft.

Technische Brillanz im Detail: Die Spezifikationen des BUT 12AF ISC

Der BUT 12AF ISC ist mehr als nur ein Transistor – er ist ein Versprechen für Qualität und Stabilität. Seine herausragenden technischen Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen.

Wichtige Eckdaten auf einen Blick:

  • Typ: HF-Bipolartransistor
  • Polarität: NPN
  • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 450V
  • Maximaler Kollektorstrom (IC): 8A
  • Verlustleistung (Ptot): 23W
  • Gehäuse: SOT-186

Diese Spezifikationen sind das Fundament für seine Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit. Der BUT 12AF ISC wurde entwickelt, um auch unter herausfordernden Bedingungen eine konstante und präzise Leistung zu liefern.

Detaillierte technische Daten:

Parameter Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (VCEO) 450 V
Kollektor-Basis-Sperrspannung (VCBO) 700 V
Emitter-Basis-Sperrspannung (VEBO) 9 V
Kollektorstrom (IC) 8 A
Spitzenkollektorstrom (ICM) 15 A
Basisstrom (IB) 4 A
Verlustleistung (Ptot) bei TC = 25°C 23 W
Sperrschichttemperatur (Tj) 150 °C
Storage Temperature (Tstg) -65 to +150 °C
Typische Stromverstärkung (hFE) 10 – 40
Übergangsfrequenz (fT) 8 MHz

Diese detaillierten Daten verdeutlichen die Leistungsfähigkeit und Stabilität des BUT 12AF ISC und geben Ihnen die Gewissheit, ein Produkt von höchster Qualität zu erwerben.

Anwendungsbereiche: Wo der BUT 12AF ISC seine Stärken ausspielt

Die Vielseitigkeit des BUT 12AF ISC kennt kaum Grenzen. Ob in der Leistungselektronik, in Schaltnetzteilen oder in der Audiotechnik – dieser Transistor meistert jede Herausforderung mit Bravour. Seine robuste Bauweise und die hohe Spannungsfestigkeit machen ihn zur idealen Wahl für Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Langlebigkeit im Vordergrund stehen.

Beispiele für typische Anwendungen:

  • Schaltnetzteile: Ideal für effiziente und stabile Stromversorgungslösungen.
  • Leistungsverstärker: Sorgt für eine saubere und kraftvolle Signalverstärkung.
  • Motorsteuerungen: Ermöglicht eine präzise und zuverlässige Steuerung von Motoren.
  • Industrielle Steuerungssysteme: Bietet die notwendige Stabilität für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.
  • Inverter: Für eine effiziente Umwandlung von Gleich- in Wechselstrom.

Der BUT 12AF ISC ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Partner, auf den Sie sich verlassen können, um Ihre Projekte zum Erfolg zu führen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser Transistor bietet.

Das SOT-186 Gehäuse: Kompaktes Design für maximale Performance

Das SOT-186 Gehäuse des BUT 12AF ISC ist nicht nur kompakt, sondern auch auf optimale Wärmeableitung ausgelegt. Diese durchdachte Konstruktion ermöglicht es, die volle Leistung des Transistors auszuschöpfen, ohne die Gefahr einer Überhitzung einzugehen. Das Ergebnis ist eine höhere Zuverlässigkeit und eine längere Lebensdauer.

Vorteile des SOT-186 Gehäuses:

  • Kompakte Bauweise: Ermöglicht eine platzsparende Integration in Ihre Schaltungen.
  • Optimale Wärmeableitung: Verhindert Überhitzung und sorgt für einen stabilen Betrieb.
  • Robuste Konstruktion: Garantiert eine lange Lebensdauer und Zuverlässigkeit.
  • Einfache Montage: Ermöglicht eine schnelle und unkomplizierte Installation.

Das SOT-186 Gehäuse ist ein Beweis dafür, dass Größe nicht alles ist. Es vereint Kompaktheit mit Leistung und macht den BUT 12AF ISC zu einem echten Allrounder.

Warum der BUT 12AF ISC die richtige Wahl für Sie ist

In einer Welt, in der Qualität und Zuverlässigkeit immer wichtiger werden, ist der BUT 12AF ISC die ideale Wahl für alle, die keine Kompromisse eingehen wollen. Dieser Transistor bietet eine unschlagbare Kombination aus Leistung, Stabilität und Langlebigkeit und ist damit die perfekte Basis für Ihre elektronischen Projekte.

Investieren Sie in Qualität. Investieren Sie in den BUT 12AF ISC.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BUT 12AF ISC

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum BUT 12AF ISC. Wir möchten Ihnen helfen, das Beste aus diesem Produkt herauszuholen.

1. Welche Kühlmaßnahmen sind bei maximaler Verlustleistung zu empfehlen?

Bei maximaler Verlustleistung von 23W ist eine Kühlung unbedingt erforderlich. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper und stellen Sie sicher, dass dieser einen guten thermischen Kontakt zum Gehäuse des Transistors hat. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Umgebungstemperatur und der gewünschten Betriebstemperatur ab.

2. Kann der BUT 12AF ISC parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen?

Ja, der BUT 12AF ISC kann parallel geschaltet werden. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zur Strombalance zu treffen, um sicherzustellen, dass sich der Strom gleichmäßig auf die Transistoren verteilt. Dies kann durch den Einsatz von kleinen Emitterwiderständen erreicht werden.

3. Welche ESD-Schutzmaßnahmen sind beim Umgang mit dem BUT 12AF ISC zu beachten?

Wie alle Halbleiterbauelemente ist auch der BUT 12AF ISC empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Tragen Sie beim Umgang mit dem Transistor eine ESD-Schutzarmband und arbeiten Sie auf einer ESD-geschützten Arbeitsfläche. Bewahren Sie den Transistor in einer ESD-sicheren Verpackung auf, wenn er nicht verwendet wird.

4. Wie hoch ist die typische Schaltgeschwindigkeit des BUT 12AF ISC?

Die typische Schaltgeschwindigkeit hängt stark von der Beschaltung und den Betriebsbedingungen ab. Die Übergangsfrequenz (fT) beträgt 8 MHz, was einen Hinweis auf die mögliche Schaltgeschwindigkeit gibt. Für genaue Werte empfiehlt es sich, Tests in der jeweiligen Anwendung durchzuführen.

5. Gibt es alternative Transistoren, die als Ersatz für den BUT 12AF ISC verwendet werden können?

Es gibt verschiedene alternative Transistoren, die als Ersatz in Frage kommen können. Dazu gehören beispielsweise der 2SC5200 oder der MJE13009. Achten Sie jedoch darauf, dass die Ersatztransistoren die gleichen oder bessere Spezifikationen in Bezug auf Spannung, Strom, Verlustleistung und Schaltgeschwindigkeit aufweisen.

6. Wo finde ich detailliertere technische Datenblätter und Applikationshinweise?

Detaillierte technische Datenblätter und Applikationshinweise finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers ISC. Auch auf einschlägigen Elektronik-Plattformen und bei Distributoren werden oft detaillierte Informationen bereitgestellt.

7. Ist der BUT 12AF ISC RoHS-konform?

Die RoHS-Konformität sollte im technischen Datenblatt des Herstellers angegeben sein. Überprüfen Sie dies bitte vor dem Kauf, um sicherzustellen, dass der Transistor den geltenden Umweltrichtlinien entspricht.

Bewertungen: 4.8 / 5. 531

Zusätzliche Informationen
Marke

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