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Startseite » Bauelemente, aktiv » Transistoren » Bipolar-Transistoren (BJTs) » Bipolar-Transistoren (GB BJTs)
BUL 58D STM - Bipolartransistor

BUL 58D STM – Bipolartransistor, NPN, 450V, 8A, 85W, TO-220

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Artikelnummer: 41589fb2fc55 Kategorie: Bipolar-Transistoren (GB BJTs)
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Beschreibung

Inhalt

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  • BUL 58D STM – Der Bipolartransistor für anspruchsvolle Anwendungen
    • Technische Daten, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in Perfektion
    • Das TO-220 Gehäuse: Robust und bewährt
    • Warum der BUL 58D STM die richtige Wahl ist
    • Technische Details im Überblick
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BUL 58D STM

BUL 58D STM – Der Bipolartransistor für anspruchsvolle Anwendungen

Der BUL 58D STM ist mehr als nur ein Bipolartransistor – er ist ein zuverlässiger Partner für Ihre Leistungselektronik-Projekte. Mit seinen beeindruckenden Leistungsdaten und seiner robusten Bauweise ermöglicht er effiziente und sichere Schaltungen in einer Vielzahl von Anwendungen. Ob in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen oder Verstärkern, der BUL 58D STM meistert anspruchsvolle Aufgaben mit Bravour. Erleben Sie die Freiheit, Ihre Ideen ohne Kompromisse umzusetzen.

Technische Daten, die überzeugen

Der BUL 58D STM zeichnet sich durch seine herausragenden technischen Eigenschaften aus. Hier eine Übersicht der wichtigsten Parameter:

  • Typ: Bipolartransistor (BJT)
  • Polarität: NPN
  • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 450 V
  • Maximaler Kollektorstrom (IC): 8 A
  • Maximale Verlustleistung (PD): 85 W
  • Gehäuse: TO-220

Diese Werte sind entscheidend für die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des Transistors. Die hohe Spannungsfestigkeit von 450 V ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsanwendungen, während der maximale Kollektorstrom von 8 A ausreichend Reserven für anspruchsvolle Lasten bietet. Die Verlustleistung von 85 W gewährleistet einen sicheren Betrieb auch bei hoher Belastung.

Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in Perfektion

Die Vielseitigkeit des BUL 58D STM kennt kaum Grenzen. Er findet Anwendung in zahlreichen Bereichen der Elektronik und Elektrotechnik. Hier einige Beispiele:

  • Schaltnetzteile: Als Schaltelement in Netzteilen sorgt der BUL 58D STM für eine effiziente und stabile Energieversorgung.
  • Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen ermöglicht er die präzise Regelung von Drehzahl und Drehmoment.
  • Verstärker: In Audio- und Leistungsverstärkern liefert er eine hohe Ausgangsleistung bei geringen Verzerrungen.
  • Beleuchtungstechnik: In elektronischen Vorschaltgeräten für Lampen sorgt er für eine zuverlässige Zündung und Steuerung.
  • Industrielle Anwendungen: In industriellen Steuerungen und Reglern übernimmt er wichtige Schaltfunktionen.

Die Flexibilität des BUL 58D STM macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauelement für Entwickler und Ingenieure, die Wert auf Zuverlässigkeit und Leistung legen.

Das TO-220 Gehäuse: Robust und bewährt

Das TO-220 Gehäuse ist ein Industriestandard für Leistungshalbleiter und bietet zahlreiche Vorteile. Es zeichnet sich durch seine robuste Bauweise und seine gute Wärmeableitung aus. Die große Oberfläche des Gehäuses ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung an einen Kühlkörper, wodurch der Transistor auch bei hoher Belastung nicht überhitzt. Die einfache Montage mit Schrauben oder Clips macht das TO-220 Gehäuse zu einer praktischen Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen.

Vorteile des TO-220 Gehäuses:

  • Robuste Bauweise
  • Gute Wärmeableitung
  • Einfache Montage
  • Industriestandard

Warum der BUL 58D STM die richtige Wahl ist

Bei der Auswahl eines Bipolartransistors spielen viele Faktoren eine Rolle. Der BUL 58D STM überzeugt durch seine Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit. Er ist die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen es auf eine stabile und effiziente Funktion ankommt.

Gründe für den BUL 58D STM:

  • Hohe Spannungsfestigkeit (450 V)
  • Hoher Kollektorstrom (8 A)
  • Hohe Verlustleistung (85 W)
  • Robustes TO-220 Gehäuse
  • Vielseitige Einsatzmöglichkeiten

Mit dem BUL 58D STM setzen Sie auf ein Qualitätsprodukt, das Ihren Anforderungen gerecht wird und Ihre Erwartungen übertrifft. Erleben Sie die Freude an einer zuverlässigen und leistungsstarken Lösung.

Technische Details im Überblick

Für eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des BUL 58D STM haben wir hier eine Tabelle für Sie zusammengestellt:

Parameter Wert Einheit
VCEO (Max. Kollektor-Emitter-Spannung) 450 V
IC (Max. Kollektorstrom) 8 A
PD (Max. Verlustleistung) 85 W
hFE (Stromverstärkung) Typ. 10 (IC = 0.5 A, VCE = 5 V) –
fT (Transitfrequenz) 8 MHz
Gehäuse TO-220 –

Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des BUL 58D STM und hilft Ihnen bei der Auswahl des passenden Transistors für Ihre Anwendung.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BUL 58D STM

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum BUL 58D STM. Wir hoffen, dass diese Informationen Ihnen bei Ihrer Entscheidung helfen.

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „NPN“ bei einem Bipolartransistor?

    NPN bezieht sich auf die Anordnung der Halbleitermaterialien im Transistor. Ein NPN-Transistor besteht aus einer Schicht P-dotierten Materials, die zwischen zwei Schichten N-dotierten Materials liegt.

  2. Wie montiere ich den BUL 58D STM richtig auf einem Kühlkörper?

    Für eine optimale Wärmeableitung empfehlen wir die Verwendung einer Wärmeleitpaste zwischen dem Transistor und dem Kühlkörper. Achten Sie darauf, dass die Oberflächen sauber und eben sind. Befestigen Sie den Transistor mit einer Schraube und einer Isolierscheibe, um einen elektrischen Kurzschluss zu vermeiden.

  3. Kann ich den BUL 58D STM auch in einer PNP-Schaltung verwenden?

    Nein, der BUL 58D STM ist ein NPN-Transistor und kann nicht direkt in einer PNP-Schaltung verwendet werden. Sie benötigen einen PNP-Transistor mit ähnlichen Leistungsdaten.

  4. Welche alternativen Transistoren gibt es zum BUL 58D STM?

    Es gibt verschiedene alternative Transistoren mit ähnlichen Leistungsdaten, wie z.B. den MJE13005 oder den 2SC2625. Achten Sie jedoch darauf, die technischen Daten der Alternativen genau zu prüfen, um sicherzustellen, dass sie für Ihre Anwendung geeignet sind.

  5. Wie bestimme ich die richtige Dimensionierung eines Bipolartransistors für meine Schaltung?

    Die Dimensionierung hängt von den spezifischen Anforderungen Ihrer Schaltung ab. Berücksichtigen Sie die maximale Spannung, den maximalen Strom und die maximale Verlustleistung, die der Transistor aushalten muss. Verwenden Sie die technischen Datenblätter der Hersteller, um die passenden Transistoren auszuwählen.

  6. Was ist die Stromverstärkung (hFE) und wie beeinflusst sie die Leistung des Transistors?

    Die Stromverstärkung (hFE) ist ein Maß dafür, wie stark der Kollektorstrom durch den Basisstrom gesteuert wird. Eine höhere Stromverstärkung bedeutet, dass ein kleiner Basisstrom einen größeren Kollektorstrom steuern kann. Die Stromverstärkung beeinflusst die Empfindlichkeit und die Verstärkungsleistung des Transistors.

  7. Wie schütze ich den BUL 58D STM vor Überlastung?

    Um den Transistor vor Überlastung zu schützen, können Sie verschiedene Maßnahmen ergreifen, wie z.B. die Verwendung von Sicherungen, Strombegrenzungs-Widerständen und Kühlkörpern. Achten Sie darauf, dass die Betriebsbedingungen des Transistors innerhalb der spezifizierten Grenzen liegen.

Wir hoffen, diese FAQs konnten Ihre Fragen beantworten. Bei weiteren Fragen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung.

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Marke

ST MICROELECTRONICS

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