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BU 208D - HF-Bipolartransistor

BU 208D – HF-Bipolartransistor, NPN, 700V, 8A, 150W, TO-3

2,20 €

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Artikelnummer: 1c0f08aca691 Kategorie: HF-Transistoren
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Beschreibung

Inhalt

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  • BU 208D – Der Hochleistungs-Bipolartransistor für Ihre anspruchsvollen Projekte
  • Technische Exzellenz für Ihre Innovationen
    • Detaillierte Spezifikationen im Überblick
  • Anwendungsbereiche, die begeistern
  • Das TO-3 Gehäuse – Robustheit und Wärmeableitung in Perfektion
  • Der BU 208D – Mehr als nur ein Bauteil
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BU 208D
    • 1. Welche Kühlung wird für den BU 208D empfohlen?
    • 2. Kann der BU 208D parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen?
    • 3. Wo finde ich ein Datenblatt für den BU 208D?
    • 4. Welche Alternativen gibt es zum BU 208D?
    • 5. Ist der BU 208D für Audioverstärker geeignet?
    • 6. Was bedeutet die Bezeichnung „HF-Bipolartransistor“?
    • 7. Worauf muss ich bei der Montage des BU 208D achten?

BU 208D – Der Hochleistungs-Bipolartransistor für Ihre anspruchsvollen Projekte

Entdecken Sie den BU 208D, einen robusten und zuverlässigen NPN-HF-Bipolartransistor, der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Leistung und Stabilität erfordern. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und dem bewährten TO-3 Gehäuse ist der BU 208D die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik, Audioverstärkung und industriellen Steuerung.

Technische Exzellenz für Ihre Innovationen

Der BU 208D ist mehr als nur ein Transistor – er ist ein Baustein für Ihre Visionen. Seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu bewältigen, macht ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil in Schaltungen, die auf kompromisslose Leistung angewiesen sind. Lassen Sie uns einen Blick auf die herausragenden technischen Eigenschaften werfen, die den BU 208D auszeichnen:

  • NPN-Bipolartransistor: Die bewährte NPN-Technologie sorgt für effiziente Stromverstärkung und schnelle Schaltzeiten.
  • Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 700V bietet der BU 208D eine außergewöhnliche Robustheit gegenüber Überspannungen und transienten Effekten.
  • Hoher Strom: Ein maximaler Kollektorstrom (Ic) von 8A ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Anwendungen.
  • Hohe Verlustleistung: Mit einer Verlustleistung (Pd) von 150W kann der BU 208D auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig arbeiten, vorausgesetzt eine adäquate Kühlung ist gewährleistet.
  • TO-3 Gehäuse: Das robuste TO-3 Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern.

Detaillierte Spezifikationen im Überblick

Für eine fundierte Entscheidung ist es wichtig, alle Details zu kennen. Hier finden Sie eine tabellarische Übersicht der wichtigsten technischen Daten des BU 208D:

Parameter Wert Einheit
Typ NPN-Bipolartransistor –
Vceo (Kollektor-Emitter-Spannung) 700 V
Ic (Kollektorstrom) 8 A
Pd (Verlustleistung) 150 W
Gehäuse TO-3 –
hFE (Stromverstärkung) Typisch 15 (bei Ic = 1A) –
Ft (Transitfrequenz) 4 MHz

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der BU 208D ist ein echter Allrounder, wenn es um anspruchsvolle Anwendungen geht. Seine Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für:

  • Leistungselektronik: In Schaltnetzteilen, Umrichtern und Motorsteuerungen sorgt der BU 208D für eine effiziente und stabile Energieumwandlung.
  • Audioverstärker: Für Hi-Fi-Enthusiasten und professionelle Audioanwendungen bietet der BU 208D die notwendige Leistung und Linearität für einen klaren und verzerrungsfreien Klang.
  • Industrielle Steuerung: In Schweißgeräten, Induktionsheizungen und anderen industriellen Anwendungen bewältigt der BU 208D zuverlässig hohe Ströme und Spannungen.
  • Lineare Stromversorgungen: Er eignet sich hervorragend für den Aufbau von robusten und stabilen linearen Stromversorgungen, die eine präzise Spannungsregelung erfordern.
  • Inverter: Auch in Inverter-Schaltungen zur Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom kann der BU 208D seine Stärken ausspielen.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln einen High-End-Audioverstärker, der jeden Ton in seiner reinsten Form wiedergibt. Oder eine robuste Motorsteuerung, die selbst unter extremen Bedingungen zuverlässig funktioniert. Mit dem BU 208D haben Sie die Möglichkeit, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen.

Das TO-3 Gehäuse – Robustheit und Wärmeableitung in Perfektion

Das TO-3 Gehäuse des BU 208D ist nicht nur ein Gehäuse, sondern ein integraler Bestandteil seiner Leistungsfähigkeit. Es bietet:

  • Hervorragende Wärmeableitung: Die großflächige Metallbasis ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung an einen Kühlkörper, wodurch die Betriebstemperatur des Transistors gesenkt und seine Lebensdauer verlängert wird.
  • Robuste Bauweise: Das TO-3 Gehäuse schützt den Transistor vor mechanischen Belastungen und Umwelteinflüssen.
  • Einfache Montage: Die standardisierte Bauform ermöglicht eine einfache und sichere Montage auf Kühlkörpern.

Die Wärmeableitung ist ein kritischer Faktor für die Lebensdauer und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleitern. Durch die effektive Wärmeableitung des TO-3 Gehäuses wird sichergestellt, dass der BU 208D auch unter hoher Last zuverlässig funktioniert.

Der BU 208D – Mehr als nur ein Bauteil

Mit dem BU 208D erwerben Sie nicht nur einen Transistor, sondern ein Stück Ingenieurskunst, das Ihnen ermöglicht, Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben. Seine hohe Leistungsfähigkeit, Zuverlässigkeit und Robustheit machen ihn zu einer Investition, die sich auszahlt.

Lassen Sie sich von den Möglichkeiten inspirieren, die der BU 208D bietet, und verwirklichen Sie Ihre Visionen. Ob Sie ein erfahrener Elektronikexperte oder ein ambitionierter Bastler sind – der BU 208D ist der perfekte Partner für Ihre Projekte.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BU 208D

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum BU 208D. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

1. Welche Kühlung wird für den BU 208D empfohlen?

Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung ab, die der Transistor im Betrieb erzeugt. Für Anwendungen mit hoher Verlustleistung (nahe 150W) ist ein Kühlkörper mit niedrigem Wärmewiderstand erforderlich. Es ist ratsam, die Temperatur des Transistor-Gehäuses zu überwachen und sicherzustellen, dass sie innerhalb der spezifizierten Grenzen bleibt.

2. Kann der BU 208D parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, mehrere BU 208D Transistoren parallel zu schalten, um den maximalen Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zur Stromverteilung zu treffen, um sicherzustellen, dass jeder Transistor gleichmäßig belastet wird. Dies kann durch den Einsatz von Emitterwiderständen erreicht werden.

3. Wo finde ich ein Datenblatt für den BU 208D?

Ein Datenblatt für den BU 208D finden Sie in der Regel auf den Webseiten der Hersteller oder in Online-Datenbanken für elektronische Bauteile. Suchen Sie einfach nach „BU 208D Datenblatt“ in einer Suchmaschine.

4. Welche Alternativen gibt es zum BU 208D?

Es gibt verschiedene Alternativen zum BU 208D, abhängig von den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung. Beliebte Alternativen sind beispielsweise der 2N3055 oder der MJ15003. Vergleichen Sie die technischen Daten der verschiedenen Transistoren, um den am besten geeigneten für Ihre Anwendung zu finden.

5. Ist der BU 208D für Audioverstärker geeignet?

Ja, der BU 208D ist für Audioverstärker geeignet, insbesondere für Endstufen mit hoher Leistung. Seine hohe Spannungsfestigkeit und sein hoher Strom ermöglichen den Aufbau von Verstärkern mit ausgezeichneter Klangqualität und hoher Ausgangsleistung.

6. Was bedeutet die Bezeichnung „HF-Bipolartransistor“?

„HF“ steht für Hochfrequenz. Der BU 208D ist als HF-Bipolartransistor klassifiziert, weil er auch bei höheren Frequenzen noch eine brauchbare Verstärkung aufweist. Dies macht ihn für Anwendungen geeignet, bei denen schnelle Schaltzeiten oder die Verarbeitung von Hochfrequenzsignalen erforderlich sind.

7. Worauf muss ich bei der Montage des BU 208D achten?

Bei der Montage des BU 208D ist es wichtig, eine gute thermische Verbindung zwischen dem Transistor und dem Kühlkörper herzustellen. Verwenden Sie Wärmeleitpaste, um den Wärmewiderstand zwischen den beiden Oberflächen zu minimieren. Achten Sie auch darauf, dass der Transistor nicht überdreht wird, um Beschädigungen zu vermeiden. Die Schrauben sollten mit dem empfohlenen Drehmoment angezogen werden.

Bewertungen: 4.7 / 5. 798

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