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BSP 76 E6433 INF - MOSFET

BSP 76 E6433 INF – MOSFET, N-CH, SOT-223, 42 V, 1,8 A, 3,8 W

2,25 €

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Artikelnummer: 7af978edb5b1 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

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  • BSP 76 E6433 INF – Der N-Kanal MOSFET für präzise Leistung und zuverlässige Performance
    • Die wichtigsten Eigenschaften auf einen Blick:
    • Technische Daten im Detail:
    • Anwendungsbereiche des BSP 76 E6433 INF
    • Warum der BSP 76 E6433 INF die richtige Wahl ist:
    • Investieren Sie in Qualität und Innovation
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BSP 76 E6433 INF

BSP 76 E6433 INF – Der N-Kanal MOSFET für präzise Leistung und zuverlässige Performance

Entdecken Sie den BSP 76 E6433 INF, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der in einem kompakten SOT-223 Gehäuse eine beeindruckende Leistungsfähigkeit entfaltet. Dieser MOSFET ist die ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen es auf Effizienz, Zuverlässigkeit und präzise Steuerung ankommt. Tauchen Sie ein in die Welt der Elektronik und erleben Sie, wie der BSP 76 E6433 INF Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

Die wichtigsten Eigenschaften auf einen Blick:

  • N-Kanal MOSFET: Bietet schnelle Schaltzeiten und hohe Effizienz.
  • SOT-223 Gehäuse: Kompakte Bauweise für platzsparende Designs.
  • 42 V Drain-Source-Spannung: Geeignet für Anwendungen mit mittleren Spannungsanforderungen.
  • 1,8 A Drain-Strom: Liefert ausreichend Leistung für diverse Lasten.
  • 3,8 W Verlustleistung: Ermöglicht zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Der BSP 76 E6433 INF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Herzstück innovativer Lösungen. Ob in der Steuerung von Motoren, in der Stromversorgung von LED-Anwendungen oder in der Regelung von Schaltnetzteilen, dieser MOSFET überzeugt durch seine Vielseitigkeit und seine Fähigkeit, auch in komplexen Schaltungen eine herausragende Performance zu liefern.

Technische Daten im Detail:

Parameter Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Gehäuse SOT-223
Drain-Source-Spannung (Vds) 42 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Drain-Strom (Id) 1,8 A
Verlustleistung (Pd) 3,8 W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 150 mΩ (typ.) bei Vgs = 10V
Betriebstemperatur -55 °C bis +150 °C

Die präzisen technischen Daten sind das Fundament für Ihre kreativen Elektronikprojekte. Der geringe Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert die Verluste und sorgt für eine effiziente Energieübertragung. Der weite Betriebstemperaturbereich garantiert eine zuverlässige Funktion auch unter extremen Bedingungen. Vertrauen Sie auf die Qualität und die Leistungsfähigkeit des BSP 76 E6433 INF, um Ihre Ideen in die Realität umzusetzen.

Anwendungsbereiche des BSP 76 E6433 INF

Die Vielseitigkeit des BSP 76 E6433 INF eröffnet Ihnen ein breites Spektrum an Anwendungsmöglichkeiten:

  • DC-DC-Wandler: Effiziente Stromversorgungslösungen für portable Geräte und industrielle Anwendungen.
  • Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von kleinen Motoren in Robotik, Modellbau und Automatisierungstechnik.
  • LED-Treiber: Hocheffiziente Ansteuerung von LEDs für Beleuchtungssysteme und Displays.
  • Lastschalter: Zuverlässiges Schalten von Lasten in Stromversorgungen und Schutzschaltungen.
  • Power Management: Optimierung des Energieverbrauchs in batteriebetriebenen Geräten.

Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem BSP 76 E6433 INF innovative Lösungen entwickeln, die Energie sparen, Prozesse optimieren und die Welt ein Stückchen besser machen. Dieser MOSFET ist Ihr Schlüssel zu neuen Möglichkeiten in der Welt der Elektronik.

Warum der BSP 76 E6433 INF die richtige Wahl ist:

In der Welt der Elektronik ist die Auswahl des richtigen Bauteils entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Der BSP 76 E6433 INF bietet Ihnen eine Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, die ihn von anderen MOSFETs abhebt:

  • Hohe Effizienz: Der geringe Einschaltwiderstand minimiert Verluste und sorgt für eine optimale Energieausnutzung.
  • Kompakte Bauweise: Das SOT-223 Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs und eine einfache Integration in Ihre Schaltungen.
  • Zuverlässige Performance: Der weite Betriebstemperaturbereich und die robusten Spezifikationen garantieren einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • Einfache Handhabung: Der BSP 76 E6433 INF ist einfach zu verarbeiten und zu löten, was Ihnen Zeit und Kosten spart.
  • Breites Anwendungsspektrum: Von der Motorsteuerung bis zur LED-Ansteuerung – dieser MOSFET ist ein vielseitiger Allrounder für Ihre Projekte.

Entscheiden Sie sich für den BSP 76 E6433 INF und erleben Sie, wie einfach es sein kann, innovative Elektroniklösungen zu entwickeln. Lassen Sie sich von der Leistung und der Zuverlässigkeit dieses MOSFETs inspirieren und verwirklichen Sie Ihre Visionen.

Investieren Sie in Qualität und Innovation

Der BSP 76 E6433 INF ist nicht nur ein Bauteil, sondern eine Investition in die Qualität und die Innovation Ihrer Projekte. Mit diesem MOSFET setzen Sie auf eine Technologie, die sich durch ihre Leistungsfähigkeit, ihre Zuverlässigkeit und ihre Vielseitigkeit auszeichnet. Verlassen Sie sich auf den BSP 76 E6433 INF, um Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level zu heben.

Bestellen Sie jetzt den BSP 76 E6433 INF und starten Sie noch heute mit der Realisierung Ihrer innovativen Ideen. Wir sind überzeugt, dass dieser MOSFET Sie begeistern wird!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum BSP 76 E6433 INF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum BSP 76 E6433 INF. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das an das Gate angelegt wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Halbleitermaterials (N-dotiert), das den Kanal bildet, durch den die Elektronen fließen.

  2. Wofür steht die Bezeichnung „SOT-223“?

    SOT-223 ist ein standardisiertes Gehäuseformat für oberflächenmontierbare elektronische Bauelemente (SMD). Es bietet eine gute Wärmeableitung und ist relativ einfach zu verarbeiten.

  3. Kann ich den BSP 76 E6433 INF auch bei höheren Spannungen als 42V einsetzen?

    Nein, die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) beträgt 42V. Das Überschreiten dieser Spannung kann den MOSFET beschädigen oder zerstören.

  4. Wie berechne ich die benötigte Kühlung für den BSP 76 E6433 INF?

    Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie zunächst die Verlustleistung in Ihrer Anwendung. Verwenden Sie dann das Datenblatt, um den Wärmewiderstand des SOT-223 Gehäuses zu ermitteln. Anhand dieser Werte können Sie berechnen, ob ein Kühlkörper erforderlich ist, um die maximale Betriebstemperatur des MOSFETs nicht zu überschreiten.

  5. Wo finde ich das Datenblatt für den BSP 76 E6433 INF?

    Das Datenblatt für den BSP 76 E6433 INF finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers (Infineon) oder über eine Suche im Internet. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den elektrischen Eigenschaften, den Betriebsparametern und den empfohlenen Anwendungsbedingungen.

  6. Ist der BSP 76 E6433 INF ESD-empfindlich?

    Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der BSP 76 E6433 INF ESD-empfindlich. Achten Sie darauf, beim Umgang mit dem Bauteil ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbandes und die Verwendung einer ESD-sicheren Arbeitsumgebung.

  7. Kann ich den BSP 76 E6433 INF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

    Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung sicherzustellen. Dies kann durch den Einsatz von kleinen Widerständen in Serie mit jedem MOSFET oder durch die Verwendung von speziellen Parallel-Schaltungs-Techniken erreicht werden.

Bewertungen: 4.8 / 5. 794

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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