Silizium-PIN-FotodiodeMerkmale:• Verpackung: hermetisch verschlossen• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Wellenlängenbereich (S10%) 350 nm bis 1100 nm• Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns)• Hermetisch versiegelte Metalldosenverpackung (TO-18), geeignet bis 125 °CAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, LichtBarrieren, Sichtkontrollen)
BPX 65 – Silizium-PIN-Fotodiode, 350…1100nm, 80°, TO-18
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