Hochgeschwindigkeits SI-Gate CMOS Baustein mit zwei und-verknüpften Eingängen.Merkmalesymetrische Ausgangsimpedanzhohe Störunempfindlichkeitniedrige Verlustleistunggleichmäßige Signallaufzeiten
74AHC 1G08GW – AND-Gate, 2 Element, 2 … 5,5 V, SOT-353-5
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