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2SJ 162 - MOSFET

2SJ 162 – MOSFET, P-Kanal, -160 V, -7 A, 100W, TO-3P

10,70 €

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Artikelnummer: 937ee9b4a88b Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Leistungsstarker P-Kanal MOSFET: 2SJ162 für anspruchsvolle Schaltungen
  • Überragende Leistung und Zuverlässigkeit für Ihre Elektronikprojekte
  • Technische Spezifikationen und Anwendungsbereiche
    • Optimierte Ansteuerung und Schaltverhalten
    • Robustheit und Zuverlässigkeit im TO-3P Gehäuse
  • Anwendungsbeispiele für den 2SJ162
  • Produktdaten im Überblick
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu 2SJ162 – MOSFET, P-Kanal, -160 V, -7 A, 100W, TO-3P
    • Welche Art von Lasten kann der 2SJ162 MOSFET sicher schalten?
    • Ist der 2SJ162 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?
    • Welche Art von Kühlung wird für den 2SJ162 empfohlen?
    • Was sind die Hauptunterschiede zu einem N-Kanal MOSFET?
    • Benötige ich spezielle Treiberschaltungen für den 2SJ162?
    • Kann der 2SJ162 als linearer Verstärker eingesetzt werden?
    • Wo wird der 2SJ162 typischerweise in industriellen Steuerungen eingesetzt?

Leistungsstarker P-Kanal MOSFET: 2SJ162 für anspruchsvolle Schaltungen

Sie suchen nach einer zuverlässigen und hochleistungsfähigen Lösung für Ihre Schaltungsanforderungen im Bereich Leistungselektronik? Der 2SJ162 MOSFET, ein P-Kanal-Bauteil mit beeindruckenden Spezifikationen von -160 V, -7 A und einer maximalen Verlustleistung von 100W im TO-3P Gehäuse, ist prädestiniert für professionelle Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Dieser Transistor ist die ideale Wahl für Ingenieure und Entwickler, die Präzision und Robustheit in ihren Designs umsetzen möchten, sei es in der Stromversorgung, bei Motorsteuerungen oder in anderen Hochleistungsumgebungen.

Überragende Leistung und Zuverlässigkeit für Ihre Elektronikprojekte

Der 2SJ162 hebt sich durch seine herausragenden elektrischen Eigenschaften und seine robuste Bauweise von Standardlösungen ab. Die Fähigkeit, hohe Spannungen von bis zu -160V zu sperren und Ströme von bis zu -7A zu schalten, kombiniert mit einer thermischen Verlustleistung von 100W, macht ihn zu einem universell einsetzbaren Leistungshalbleiter. Im Gegensatz zu weniger spezialisierten MOSFETs bietet der 2SJ162 eine optimierte Balance zwischen Rauscharmut und Schaltgeschwindigkeit, was ihn für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen unverzichtbar macht. Seine Konstruktion im TO-3P Gehäuse gewährleistet eine exzellente Wärmeableitung und mechanische Stabilität, Faktoren, die für eine lange Lebensdauer und einen zuverlässigen Betrieb in industriellen Umgebungen von entscheidender Bedeutung sind. Die Auswahl dieses Bauteils garantiert, dass Ihre Schaltung auch unter Last stabil und effizient arbeitet.

Technische Spezifikationen und Anwendungsbereiche

Der 2SJ162 ist ein monolithischer P-Kanal-Leistungstransistor, der auf Basis von Silizium-Halbleitertechnologie gefertigt wird. Seine P-Kanal-Charakteristik ermöglicht eine einfache Ansteuerung in vielen gängigen Topologien, insbesondere dort, wo eine negative Gate-Source-Spannung zur Abschaltung erforderlich ist. Die hohe Spannungsfestigkeit von -160V prädestiniert ihn für den Einsatz in Netzteilen mit höheren Sekundärspannungen oder in Schaltungen, die mit induktiven Lasten arbeiten, bei denen Spannungsspitzen auftreten können. Der kontinuierliche Drain-Strom von -7A erlaubt die Steuerung signifikanter Lasten, während die hohe Pulsstromfähigkeit eine kurzzeitige Überlastung toleriert, was die Ausfallsicherheit erhöht. Die maximale Verlustleistung von 100W, bei entsprechender Kühlung, unterstreicht seine Eignung für Dauerbetrieb bei hohen Leistungsanforderungen.

Optimierte Ansteuerung und Schaltverhalten

Die Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)) des 2SJ162 ist für eine einfache Schwellwertschaltung ausgelegt. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung der Leitfähigkeit des Kanals. Die niedrige Gate-Ladung (Qg) trägt zu schnellen Schaltzeiten bei, was für energieeffiziente Designs und die Reduzierung von Schaltverlusten essentiell ist. Die geringe Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert ohmsche Verluste während des Leitbetriebs und trägt somit zur Gesamteffizienz des Systems bei. Diese Eigenschaften machen den 2SJ162 zu einer ausgezeichneten Wahl für Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen und andere Hochfrequenzanwendungen.

Robustheit und Zuverlässigkeit im TO-3P Gehäuse

Das TO-3P Gehäuse ist ein etablierter Standard für Leistungshalbleiter und zeichnet sich durch seine hervorragenden thermischen Eigenschaften und seine mechanische Robustheit aus. Die integrierte Metallbasisplatte ermöglicht eine effiziente Wärmeabfuhr über ein Kühlblech oder Gehäuse, was die Betriebstemperatur des Bauteils im Rahmen hält und somit die Lebensdauer verlängert. Die stabile Konstruktion des TO-3P Gehäuses schützt das interne Halbleiter-Die vor mechanischer Belastung und Umwelteinflüssen, was für den Einsatz in industriellen und rauen Umgebungen von Vorteil ist. Die Schraubmontage des Gehäuses ermöglicht eine sichere und niederohmige elektrische Verbindung.

Anwendungsbeispiele für den 2SJ162

Die Vielseitigkeit des 2SJ162 eröffnet eine breite Palette von Einsatzmöglichkeiten:

  • Stromversorgungen: Als Hauptschalter in linearen und geschalteten Stromversorgungen, wo hohe Spannungen und Ströme gehandhabt werden müssen.
  • Motorsteuerungen: Zur Steuerung von Gleichstrommotoren, insbesondere in Anwendungen, die eine präzise Drehzahlregelung und hohe Strombelastbarkeit erfordern.
  • Lastschaltung: Zum zuverlässigen Schalten von induktiven oder kapazitiven Lasten in industriellen Automatisierungssystemen.
  • Batterieladegeräte: Als schaltendes Element in fortschrittlichen Ladegerät-Topologien zur effizienten Energieübertragung.
  • Schutzschaltungen: Als Element in Überspannungs- oder Überstromschutzschaltungen, um empfindliche Komponenten zu schützen.

Produktdaten im Überblick

Eigenschaft Wert
Typ MOSFET, P-Kanal
Maximale Drain-Source-Spannung (Vds) -160 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) -7 A
Maximale Verlustleistung (Pd) 100 W
Gehäuse TO-3P
Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)) Typische Werte im Bereich von -2V bis -4V (genauer Wert auf Anfrage/Datenblatt)
Einschaltwiderstand (Rds(on)) Optimiert für niedrige Verluste (typische Werte im Bereich von 0.1 Ohm bis 0.5 Ohm bei typischer Gate-Ansteuerung)
Betriebstemperaturbereich Standard Industriestandard (typisch -55°C bis +150°C)
Anwendungen Leistungsschaltkreise, Motorsteuerungen, Stromversorgungen, industrielle Automatisierung

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu 2SJ162 – MOSFET, P-Kanal, -160 V, -7 A, 100W, TO-3P

Welche Art von Lasten kann der 2SJ162 MOSFET sicher schalten?

Der 2SJ162 ist für das Schalten von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten ausgelegt. Aufgrund seiner hohen Spannungs- und Strombelastbarkeit sowie der guten thermischen Eigenschaften eignet er sich besonders gut für leistungsintensive Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Transformatoren oder Hochleistungselektromagnete, stets unter Berücksichtigung der maximal zulässigen Parameter und der notwendigen Kühlung.

Ist der 2SJ162 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?

Ja, der 2SJ162 bietet aufgrund seiner geringen Gate-Ladung und optimierten Schaltcharakteristik gute Voraussetzungen für den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen. Für extrem hohe Frequenzen (>100 kHz) sind jedoch spezifische Designbetrachtungen und eine sorgfältige Layoutgestaltung notwendig, um Schaltverluste zu minimieren und die Stabilität der Schaltung zu gewährleisten.

Welche Art von Kühlung wird für den 2SJ162 empfohlen?

Bei einer maximalen Verlustleistung von 100W ist eine angemessene Kühlung unerlässlich. Für Dauerbetrieb bei höheren Lasten wird die Montage auf einem geeigneten Kühlkörper mit Wärmeleitpaste dringend empfohlen. Die genauen Anforderungen an die Kühlung hängen von der tatsächlichen Verlustleistung, der Umgebungstemperatur und der gewünschten Betriebsdauer ab. Das TO-3P Gehäuse ist für die Anbindung an externe Kühlkörper optimiert.

Was sind die Hauptunterschiede zu einem N-Kanal MOSFET?

Der Hauptunterschied liegt in der Funktionsweise und der Ansteuerung. P-Kanal MOSFETs benötigen eine negative Gate-Source-Spannung (Vgs), um eingeschaltet zu werden, während N-Kanal MOSFETs eine positive Vgs benötigen. P-Kanal MOSFETs werden häufig in der „High-Side“-Schaltung verwendet, um den positiven Anschluss einer Last zu schalten, während N-Kanal MOSFETs oft in der „Low-Side“-Schaltung eingesetzt werden.

Benötige ich spezielle Treiberschaltungen für den 2SJ162?

Für die Ansteuerung des 2SJ162 wird eine negative Gate-Source-Spannung benötigt, um den Transistor sicher einzuschalten. Dies kann durch eine geeignete Treiberschaltung realisiert werden, die die erforderliche negative Spannung erzeugt. Die genaue Auslegung hängt von der Steuerungslogik und den erforderlichen Schaltgeschwindigkeiten ab. In vielen Fällen können Standard-MOSFET-Treiber ICs angepasst werden.

Kann der 2SJ162 als linearer Verstärker eingesetzt werden?

Obwohl der 2SJ162 primär als Schaltelement konzipiert ist, kann er unter bestimmten Bedingungen auch für lineare Verstärkungsanwendungen genutzt werden, insbesondere wenn die Anwendung geringe Verzerrungen und eine gute Leistungsverstärkung erfordert. Für lineare Anwendungen sind jedoch zusätzliche Designüberlegungen, wie Biasing und Entkopplung, sowie ein tieferes Verständnis der Sättigungs- und Kennlinienbereiche des Transistors notwendig.

Wo wird der 2SJ162 typischerweise in industriellen Steuerungen eingesetzt?

In industriellen Steuerungen findet der 2SJ162 Anwendung in Bereichen, die eine robuste und zuverlässige Leistungsverarbeitung erfordern. Dies umfasst beispielsweise die Steuerung von Ventilen, Relais, leistungsstarken Aktuatoren oder auch die Implementierung von Energieverteilungssystemen, bei denen eine präzise Ein- und Ausschaltung von Lasten unter hohen Spannungs- und Strombedingungen gewährleistet sein muss.

Bewertungen: 4.8 / 5. 713

Zusätzliche Informationen
Marke

Renesas

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