Der N-Kanal MOSFET 2N 7002-7-F: Präzision für Ihre Elektronikprojekte
Benötigen Sie eine zuverlässige und effiziente Lösung für Schaltungssteuerungsaufgaben, insbesondere im Bereich der Niederspannungsanwendungen? Der 2N 7002-7-F N-Kanal MOSFET ist die ideale Wahl für Entwickler, Ingenieure und Hobbyisten, die auf präzise Schaltcharakteristiken und eine hohe Zuverlässigkeit angewiesen sind. Seine kompakte Bauform und die exzellenten elektrischen Parameter machen ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für eine Vielzahl von elektronischen Schaltungen, von einfachen Logikgattern bis hin zu komplexen Stromversorgungsmodulen.
Überlegene Leistung und Zuverlässigkeit
Im Vergleich zu Standard-Schalttransistoren oder älteren MOSFET-Designs bietet der 2N 7002-7-F entscheidende Vorteile. Seine optimierte Halbleiterstruktur ermöglicht geringere Schaltdynamiken und reduzierte Verlustleistung bei hohen Frequenzen. Die spezifizierte Durchlasswiderstand (Rds(on)) von 3,2 Ohm ist ein entscheidender Faktor für die Effizienz, da er den Energieverlust im eingeschalteten Zustand minimiert. Dies ist besonders kritisch in batteriebetriebenen Geräten oder energieeffizienten Systemen, wo jede eingesparte Milliwatt zählt. Die Spannungstoleranz von 60 V eröffnet zudem Anwendungsfelder, die über einfache Logikpegel hinausgehen.
Schlüsselfunktionen und Vorteile des 2N 7002-7-F
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht schnelle Reaktion in dynamischen Schaltungen.
- Geringer Leckstrom: Reduziert unnötigen Energieverbrauch im ausgeschalteten Zustand.
- Robuste Konstruktion: Konzipiert für Langlebigkeit und zuverlässigen Betrieb unter definierten Bedingungen.
- Kompakte SOT-23 Gehäuseform: Ideal für platzkritische Designs und automatisierte Bestückung.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: Gewährleistet Funktionstüchtigkeit in diversen Umgebungsbedingungen.
- Exzellente thermische Eigenschaften: Effiziente Wärmeableitung dank des SOT-23 Gehäuses unterstützt den Dauerbetrieb.
Technische Spezifikationen und Anwendungsgebiete
Der 2N 7002-7-F ist ein N-Kanal MOSFET, der sich durch seine hohe Effizienz und präzise Steuerungseigenschaften auszeichnet. Seine Fähigkeit, Ströme von bis zu 0,17 A bei einer Spannungsfestigkeit von 60 V zu schalten, macht ihn zu einem vielseitigen Bauteil für verschiedene elektronische Anwendungen. Der geringe Einschaltwiderstand (Rds(on)) von nur 3,2 Ohm sorgt für minimale Energieverluste im leitenden Zustand, was ihn für energieeffiziente Schaltungen prädestiniert. Die SOT-23 Gehäuseform ist ein Industriestandard für Oberflächenmontage-Bauteile und ermöglicht eine hohe Integrationsdichte auf Leiterplatten.
Typische Einsatzgebiete umfassen:
- Schaltregler und DC-DC-Wandler
- Logik-Level-Konverter
- Schaltanwendungen in der Automobilindustrie
- Batterie-Management-Systeme
- Schaltfunktionen in Sensoren und Aktoren
- Generelle Lastschaltungen im Niederspannungsbereich
- Treiberschaltungen für LEDs und kleine Motoren
Produktdetails im Überblick
| Merkmal | Beschreibung |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Modellnummer | 2N 7002-7-F |
| Maximale Drain-Source-Spannung (Vds) | 60 V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) | 0,17 A |
| Rds(on) (maximal bei Vgs=5V, Id=0.1A) | 3,2 Ohm |
| Gehäuseform | SOT-23 (Small Outline Transistor) |
| Schwellenspannung (Vgs(th)) | Typisch 1,5 V – 2,5 V |
| Anwendungsbereich | Schaltanwendungen, Logik-Level-Schaltung, Niederspannungs-Stromversorgungen |
| Montageart | Oberflächenmontage (SMD) |
Vertrauenswürdige Schaltlösungen für anspruchsvolle Projekte
Die Wahl des richtigen MOSFETs ist entscheidend für die Leistung und Zuverlässigkeit Ihrer elektronischen Schaltungen. Der 2N 7002-7-F von Lan.de erfüllt die Anforderungen an präzise Schaltvorgänge und hohe Effizienz. Seine spezifischen Parameter sind sorgfältig ausgewählt, um eine optimale Performance in einer Vielzahl von Niederspannungsanwendungen zu gewährleisten. Im Gegensatz zu weniger spezialisierten Bauteilen bietet der 2N 7002-7-F eine konsistente und vorhersagbare Schaltcharakteristik, die für reproduzierbare Ergebnisse unerlässlich ist. Die geringe Leckstromdichte reduziert dabei den Ruhestromverbrauch Ihrer Geräte, was insbesondere bei mobilen und batteriebetriebenen Systemen von großer Bedeutung ist. Die Widerstandsfähigkeit gegenüber verschiedenen Betriebsbedingungen und die robuste SOT-23-Bauweise machen diesen MOSFET zu einer soliden Investition für professionelle Entwicklungen.
Die Auswahl von 2N 7002-7-F bedeutet, sich auf ein Bauteil zu verlassen, dessen Leistungsprofil sorgfältig abgestimmt ist, um gängige Herausforderungen in der Schaltungsentwicklung zu meistern. Ob es darum geht, Spannungsspitzen zu kontrollieren, Signalpegel zu konvertieren oder Lasten präzise zu schalten, dieser N-Kanal MOSFET liefert die benötigte Performance. Die genaue Spezifikation des Rds(on)-Wertes ist ein Indikator für die Qualität und Effizienz des Bauteils, was sich direkt in einer geringeren Wärmeentwicklung und damit einer höheren Lebensdauer Ihrer Gesamtschaltung niederschlägt. Die 60-Volt-Spezifikation erweitert die Einsatzmöglichkeiten erheblich und ermöglicht die Verwendung in Systemen, die eine höhere Spannungsreserve benötigen als marktübliche Low-Voltage-MOSFETs.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu 2N 7002-7-F – MOSFET, N-Kanal, 60 V, 0,17 A, Rds(on) 3,2 Ohm, SOT-23
Was ist die Hauptanwendung für den 2N 7002-7-F MOSFET?
Der 2N 7002-7-F ist primär für allgemeine Schaltanwendungen im Niederspannungsbereich konzipiert. Dazu gehören Logik-Level-Konverter, effiziente Schaltregler und Steuerungsfunktionen in Geräten, bei denen Präzision und Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen.
Ist der 2N 7002-7-F für den Einsatz in Hochfrequenzschaltungen geeignet?
Ja, der MOSFET verfügt über gute Schaltzeiten, was ihn für viele Hochfrequenzanwendungen im Niederspannungsbereich qualifiziert. Die spezifischen Hochfrequenzeigenschaften hängen jedoch stark von der gesamten Schaltungstopologie ab.
Welche Vorteile bietet das SOT-23 Gehäuse?
Das SOT-23 Gehäuse ist eine weit verbreitete Oberflächenmontage-Bauform, die eine hohe Integrationsdichte auf Leiterplatten ermöglicht, die Bestückung automatisiert und eine effiziente Wärmeableitung für seine Größe bietet.
Kann der 2N 7002-7-F mit Mikrocontrollern verwendet werden?
Absolut. Aufgrund seiner geringen Schwellenspannung und der Fähigkeit, direkt von Logikpegeln angesteuert zu werden, ist der 2N 7002-7-F ideal für die Schnittstelle zwischen Mikrocontrollern und höheren Lasten oder Spannungen.
Was bedeutet Rds(on) und warum ist dieser Wert wichtig?
Rds(on) steht für den Widerstand des MOSFETs im eingeschalteten Zustand (Drain-Source). Ein niedriger Rds(on)-Wert wie die 3,2 Ohm des 2N 7002-7-F bedeutet geringere Energieverluste und somit höhere Effizienz, was zu weniger Wärmeentwicklung führt.
Wie unterscheidet sich der 2N 7002-7-F von anderen 2N 7002 Varianten?
Die Endung „-7-F“ deutet auf spezifische Fertigungstoleranzen und Leistungsparameter hin, die sich im Detail von anderen Varianten unterscheiden können. Diese Spezifikationen sind für eine präzise Anwendungsauswahl entscheidend.
Welche maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) sollte beachtet werden?
Für den 2N 7002-7-F sollten die im Datenblatt angegebenen maximalen Grenzwerte für die Gate-Source-Spannung unbedingt eingehalten werden, um eine Beschädigung des Bauteils zu vermeiden. Üblicherweise liegt dieser Wert bei ±20V.
